Лазер на кристалле ZnSe:Fe2+ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре

Исследованы характеристики ZnSe:Fe²⁺-лазера в схеме с поперечной накачкой кристалла излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре. Легирование кристалла ZnSe ионами Fe²⁺ производилось одновременно через две грани методом диффузии в условиях термодинамического равновесия. Установлено, что импульс излучения ZnSe:Fe²⁺ лазера промодулирован короткими пичками (3 – 7 нс по полувысоте при низких уровнях накачки), причем количество пичков в импульсе уменьшается, а глубина модуляции растет при приближении энергии накачки к пороговому значению сверху. Получена импульсная энергия генерации 30.6 мДж при длительности импульса по полувысоте ~125 нс (при высоких уровнях накачки), обсуждаются возможности дальнейшего увеличения энергии ZnSe:Fe²⁺-лазера с накачкой излучением нецепного HF-лазера.