|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878   |
| 2. |
Н. П. Степина, А. О. Баженов, А. В. Шумилин, Е. Ю. Жданов, Д. В. Ищенко, В. В. Кириенко, М. С. Аксенов, О. Е. Терещенко, “Нелинейный коэффициент Холла в пленках трехмерного топологического изолятора”, Письма в ЖЭТФ, 120:3 (2024), 208–213 |
| 3. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 386–392 |
|
2023 |
| 4. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Обнаружение “медленного” света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом”, Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023), 240–244 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Manifestation of “slow” light in the photocurrent spectra of Ge/Si quantum dot layers combined with a photonic crystal”, JETP Letters, 118:4 (2023), 244–248 |
1
|
|
2021 |
| 5. |
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 501–506 ; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503   |
4
|
| 6. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 596–601 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Effect of adhesive layers on photocurrent enhancement in near-infrared quantum-dot photodetectors coupled with metal-nanodisk arrays”, Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659 |
|
2018 |
| 7. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, “Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками”, Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018), 399–403 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, “Localization of surface plasmon waves in hybrid photodetectors with subwavelength metallic arrays”, JETP Letters, 108:6 (2018), 374–378 |
|
2017 |
| 8. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017), 419–423 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429 |
1
|
|
2016 |
| 9. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 507–511 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces”, JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482 |
1
|
|
2015 |
| 10. |
A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015), 678–682 ; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598 |
7
|
| 11. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015), 846–850 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753 |
9
|
|
2014 |
| 12. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 99–103 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 100:2 (2014), 91–94 |
3
|
|
2013 |
| 13. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, “Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах
SiGe”, Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013), 180–184 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, “Intraband optical transitions of holes in strained SiGe quantum wells”, JETP Letters, 97:3 (2013), 159–162 |
3
|
|
Обратная связь: