|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, В. И. Чепурнов, А. С. Чипура, “КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 91–102  |
2
|
|
2021 |
| 2. |
В. И. Чепурнов, С. А. Раджапов, М. В. Долгополов, Г. В. Пузырная, А. В. Гурская, “Задачи определения эффективности для микроструктур SiC*/Si и контактообразования”, Comp. nanotechnol., 8:3 (2021), 59–68 |
6
|
|
2017 |
| 3. |
А. В. Павликов, Н. В. Латухина, В. И. Чепурнов, В. Ю. Тимошенко, “Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 421–425  ; A. V. Pavlikov, N. V. Latukhina, V. I. Chepurnov, V. Yu. Timoshenko, “Structural and optical properties of silicon-carbide nanowires produced by the high-temperature carbonization of silicon nanostructures”, Semiconductors, 51:3 (2017), 402–406 |
10
|
|
2014 |
| 4. |
В. И. Чепурнов, “Ассоциаты точечных дефектов различной природы в $\mathrm{SiC}$-фазе полупроводниковой гетероструктуры $\mathrm{SiC//Si}$, полученной методом эндотаксии”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2014, № 7(118), 145–162 |
|
2012 |
| 5. |
В. И. Чепурнов, “Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2012, № 9(100), 164–179 |
1
|
|
2011 |
| 6. |
В. И. Чепурнов, К. П. Сивакова, А. А. Ермошкин, “Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2011, № 2(83), 179–183 |
1
|
|
Обратная связь: