Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 421–425
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44219.8370 (Mi phts6221) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур

А. В. Павликовa, Н. В. Латухинаb, В. И. Чепурновc, В. Ю. Тимошенкоac

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
PDF полного текста (700 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44219.8370
Аннотация: В процессе высокотемпературной карбонизации пористого кремния и кремниевых нанонитей получены нитевидные структуры карбида кремния (SiC) с диаметрами 40–50 нм, которые были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и спектроскопии инфракрасного отражения. Данные рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света свидетельствуют, что в исследованных образцах доминирует кубический политип 3C-SiC. Форма спектра инфракрасного отражения в области полосы остаточных лучей 800–900 см$^{-1}$ указывает на присутствие свободных носителей заряда. Обсуждается возможность использования полученных нанонитей SiC в устройствах микроэлектроники, фотоники и газовой сенсорики.
Поступила в редакцию: 15.07.2016
Принята в печать: 03.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 402–406
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261703023X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Павликов, Н. В. Латухина, В. И. Чепурнов, В. Ю. Тимошенко, “Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 421–425; Semiconductors, 51:3 (2017), 402–406
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavLatChe17}
\by А.~В.~Павликов, Н.~В.~Латухина, В.~И.~Чепурнов, В.~Ю.~Тимошенко
\paper Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 421--425
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6221}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44219.8370}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006041}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 402--406
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261703023X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6221
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p421
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024