|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
РАЗРАБОТКИ НОВЫХ ЭНЕРГОУСТАНОВОК НА ОСНОВЕ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ
Задачи определения эффективности для микроструктур SiC*/Si и контактообразования
В. И. Чепурновa, С. А. Раджаповb, М. В. Долгополовac, Г. В. Пузырнаяa, А. В. Гурскаяcd a Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
b Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
c Самарский государственный технический университет
d Межвузовский научно-исследовательский центр по теоретическому материаловедению
Аннотация:
В работе обсуждается эффективность преобразования энергии радионуклидов в электрическую. В молекулярном составе полупроводниковых структур карбида кремния атомы углерода-14 функционально выполняют роль источника энергии радиохимического распада, а компонент разделения неравновесных носителей полупроводниковой структурой n- или p-типа проводимости способен напрямую преобразовывать эту энергию в электрическую форму. Предлагаемый вариант исполнения бета-преобразователя на радионуклиде С-14 обладает мировой новизной, так как данный радионуклид используется в концентрации на уровне легирующей примеси, замещающей атомы стабильного углерода-12 в молекуле карбида кремния. Присутствие в небольших количествах, один атом радиоизотопа С-14 на тысячу или даже миллион атомов устойчивого радиоизотопа С-12, придает полупроводниковому материалу новые полезные в энергетическом отношении свойства, но одновременно возникает сопутствующая проблема сбора носителей заряда металлизацией контактных площадок, что вероятно связано с изменением работы выхода электрона преобразованного радиоизотопом карбида кремния. Данный фактор определяет эффективность сбора носителей заряда, т.к. точечные прижимные контакты свидетельствуют об эффективности преобразования энергии.
Ключевые слова:
гетероструктуры карбида кремния, легирование, радиоуглерод, p-n-переход, бета-вольтаика, энергоэффективность, зарядовое точечное дефектообразование.
Поступила в редакцию: 15.08.2021
Образец цитирования:
В. И. Чепурнов, С. А. Раджапов, М. В. Долгополов, Г. В. Пузырная, А. В. Гурская, “Задачи определения эффективности для микроструктур SiC*/Si и контактообразования”, Comp. nanotechnol., 8:3 (2021), 59–68
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn348 https://www.mathnet.ru/rus/cn/v8/i3/p59
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 527 | PDF полного текста: | 36 | Список литературы: | 1 |
|