Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия, 2011, выпуск 2(83), страницы 179–183 (Mi vsgu60)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика

Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков

В. И. Чепурновa, К. П. Сиваковаa, А. А. Ермошкинb

a Кафедра полупроводниковой электроники и нанотехнологий Самарского государственного университета, 443011, Российская Федерация, г. Самара, ул. Акад. Павлова, 1
b Кафедра металловедения, порошковой металлургии Самарского государственного технического университета, 443100, Российская Федерация, г. Самара, ул. Молодогвардейская, 244
PDF полного текста (555 kB) Список цитирования (1)
(публикуется на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Гетероэпитаксиальные пленки карбида кремния на кремниевой подложке являются перспективным материалом высокотемпературной электроники. В данной работе выполнен анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе $\beta$-$SiC$, формирующейся за счет матрицы кремния, углеводородов газовой фазы и легирующей примеси Ga в интервале температур 1360–1380$\,^\circ\!$C при нормальном давлении.
Ключевые слова: наноточечное дефектообразование, полупроводниковый химический газовый датчик, por-SiC/Si, диффузионная технология.
Поступила в редакцию: 18.11.2010
Исправленный вариант: 18.11.2010
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382
Образец цитирования: В. И. Чепурнов, К. П. Сивакова, А. А. Ермошкин, “Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2011, № 2(83), 179–183
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheSivErm11}
\by В.~И.~Чепурнов, К.~П.~Сивакова, А.~А.~Ермошкин
\paper Особенности наноточечного дефектообразования в структуре \emph{por-SiC/Si}, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков
\jour Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер.
\yr 2011
\issue 2(83)
\pages 179--183
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vsgu60}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgu60
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgu/y2011/i2/p179
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:148
    PDF полного текста:69
    Список литературы:26
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024