|
Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия, 2012, выпуск 9(100), страницы 164–179
(Mi vsgu110)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика
Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур
В. И. Чепурнов Кафедра полупроводниковой электроники и нанотехнологий Самарского государственного университета, 443011, Российская Федерация, г. Самара, ул. Акад. Павлова, 1
(публикуется на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International)
Аннотация:
В данной статье показано, что гетероструктуры карбида кремния на кремниевых подложках являются перспективным материалом высокотемпературной и радиационно устойчивой электроники. Твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу
в среде водорода и углеводородов при температуре 1360–1380 $^{\circ}$C и нормальном давлении. Исследовано распределение тепловых собственных точечных дефектов различной природы в кремниевой подложке в зависимости от типа ее проводимости и в условиях изовалентного легирования углеродом.
Ключевые слова:
точечный дефект, гетероструктура, гетероэндотаксия, карбид кремния на кремнии, легирующая примесь.
Поступила в редакцию: 22.06.2012 Исправленный вариант: 22.06.2012
Образец цитирования:
В. И. Чепурнов, “Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2012, № 9(100), 164–179
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/vsgu110 https://www.mathnet.ru/rus/vsgu/y2012/i9/p164
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 156 | PDF полного текста: | 126 | Список литературы: | 25 | Первая страница: | 1 |
|