Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Вестн. СамУ. Естественнонаучн. сер.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия, 2012, выпуск 9(100), страницы 164–179 (Mi vsgu110)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика

Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур

В. И. Чепурнов

Кафедра полупроводниковой электроники и нанотехнологий Самарского государственного университета, 443011, Российская Федерация, г. Самара, ул. Акад. Павлова, 1
PDF полного текста (146 kB) Список цитирования (1)
(публикуется на условиях лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В данной статье показано, что гетероструктуры карбида кремния на кремниевых подложках являются перспективным материалом высокотемпературной и радиационно устойчивой электроники. Твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и углеводородов при температуре 1360–1380 $^{\circ}$C и нормальном давлении. Исследовано распределение тепловых собственных точечных дефектов различной природы в кремниевой подложке в зависимости от типа ее проводимости и в условиях изовалентного легирования углеродом.
Ключевые слова: точечный дефект, гетероструктура, гетероэндотаксия, карбид кремния на кремнии, легирующая примесь.
Поступила в редакцию: 22.06.2012
Исправленный вариант: 22.06.2012
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382
Образец цитирования: В. И. Чепурнов, “Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2012, № 9(100), 164–179
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Che12}
\by В.~И.~Чепурнов
\paper Распределение точечных дефектов в~Si-фазе, сопряженной с~Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур
\jour Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер.
\yr 2012
\issue 9(100)
\pages 164--179
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vsgu110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgu110
  • https://www.mathnet.ru/rus/vsgu/y2012/i9/p164
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:156
    PDF полного текста:126
    Список литературы:25
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024