|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ
КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния
М. В. Долгополовa, М. В. Елисовb, С. А. Раджаповc, В. И. Чепурновb, А. С. Чипураa a Самарский государственный технический университет
b Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева
c Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Аннотация:
Рассматривается концепция, модель, примеры активированных наноразмерных гетеропереходаов на специальных подложках карбида кремния и кремния для обеспечения максимальной мощности при комбинированных геометрическом и количественном масштабированиях чипов полупроводникового преобразователя энергии. Исследуется вопрос максимальных КПД преобразования энергии и эффективности разделения электрон-дырочных пар. Вариант оптимизации решения масштабирования реализуется гетеропереходами с вариациями последовательностей слоев с увеличением концентрации и направленности перемещения неравновесных носителей для дальнейшего повышающего преобразования напряжения с накачкой заряда. Проведено численное моделирование для проверки модели с тонкими слоями GaN, GaP на SiC, SiC/Si. Впервые предложены определения активации гетероперехода и активированного наногетероперехода как принципиальной структуры. Точность предложенных моделей сравнивается с точностью известных моделей, показано, что полученные результаты лучше, чем некоторые известные в литературе решения этих моделей.
Ключевые слова:
масштабирование, активированный наногетеропереход, полупроводниковый преобразователь, аналитическое моделирование, гетероструктуры на карбиде кремния, микролегирование, энергоэффективность, ионизационные токи и напряжения, полупроводниковые микрогенераторы, образование точечных зарядовых дефектов.
Образец цитирования:
М. В. Долгополов, М. В. Елисов, С. А. Раджапов, В. И. Чепурнов, А. С. Чипура, “КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 91–102
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn451 https://www.mathnet.ru/rus/cn/v10/i4/p91
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 76 |
|