|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. А. Харченко, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, А. А. Бекман, Г. О. Корнышов, О. И. Симчук, Ю. А. Салий, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 313–317   |
| 2. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, О. И. Симчук, Г. О. Корнышов, М. В. Максимов, “Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 57–60 |
| 3. |
Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, А. М. Надточий, К. А. Иванов, Э. И. Моисеев, И. А. Мельниченко, С. Д. Комаров, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, А. Е. Жуков, “Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024), 57–60 |
| 4. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, А. А. Бекман, Э. И. Моисеев, Ю. А. Салий (Гусева), М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, “Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 23–27 |
|
2023 |
| 5. |
М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 18–21 |
|
2022 |
| 6. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596 |
|
2021 |
| 7. |
Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, А. А. Серин, Г. О. Корнышов, А. М. Надточий, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 256–263 ; Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, A. A. Serin, G. O. Kornyshov, A. M. Nadtochiy, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Effect of the active region and waveguide design on the performance of edge-emitting lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 333–340 |
4
|
|
2019 |
| 8. |
А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, М. М. Кулагина, А. С. Паюсов, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, T. Denneulin, N. Cherkashin, В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, “Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1708–1713 ; A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704 |
| 9. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, И. С. Мухин, А. А. Серин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Ю. М. Шерняков, Ю. М. Задиранов, М. В. Максимов, “Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 211–215 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, I. S. Mukhin, A. A. Serin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, Yu. M. Shernyakov, Yu. M. Zadiranov, M. V. Maksimov, “Lateral mode discrimination in edge-emitting lasers with spatially modulated facet reflectance”, Semiconductors, 53 (2019), 200–204 |
2
|
| 10. |
Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 37–39 ; F. I. Zubov, È. I. Moiseev, G. O. Kornyshov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, M. M. Kulagina, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Specific features of the current–voltage characteristic of microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 994–996 |
7
|
| 11. |
М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Ф. И. Зубов, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. С. Рочас, Е. С. Колодезный, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, “Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 20–23 ; M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, F. I. Zubov, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, S. S. Rochas, E. S. Kolodeznyi, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, “Temperature dependence of characteristics of diode lasers with narrow quantum wells of the 1.55 $\mu$m spectral range based on phosphorous-free heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 549–552 |
1
|
| 12. |
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов, В. Н. Неведомский, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 42–45 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, A. A. Serin, A. S. Payusov, V. N. Nevedomskiy, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Lasers based on quantum well-dots emitting in the 980- and 1080-nm optical ranges”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 163–166 |
2
|
|
2018 |
| 13. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1351–1356 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Reduction of internal loss and thermal resistance in diode lasers with coupled waveguides”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1462–1467 |
5
|
| 14. |
М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1191–1196 ; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 |
2
|
| 15. |
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137 ; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 |
1
|
| 16. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 46–51 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Power characteristics and temperature dependence of the angular beam divergence of lasers with a near-surface active region”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 675–677 |
3
|
|
2016 |
| 17. |
И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1429–1433 ; I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. S. Kurochkin, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, Yu. M. Shernyakov, A. V. Savel'ev, I. A. Nyapshaev, A. Yu. Egorov, “On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1412–1415 |
9
|
|
1999 |
| 18. |
Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999), 459–464 ; L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  |
10
|
|
1990 |
| 19. |
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков, “Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 710–716 |
|
1986 |
| 20. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной
структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2217–2221 |
| 21. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986), 664–668 |
| 22. |
А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 557–561 |
|
1985 |
| 23. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной
$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 502–506 |
|
1983 |
| 24. |
А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения
в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 753–755 |
|
Обратная связь: