Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Цветков Виталий Анатольевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 12
Научных статей: 12

Статистика просмотров:
Эта страница:221
Страницы публикаций:2094
Полные тексты:721
Списки литературы:340

https://www.mathnet.ru/rus/person58114
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2017
1. А. Ю. Клоков, В. С. Кривобок, А. И. Шарков, В. А. Цветков, Д. Ф. Аминев, “Гиперзвуковые волны на поверхности кристаллического CdZnTe: роль ориентации поверхности и рассеяние на границах двойников”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  485–490  mathnet  elib; A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov, V. A. Tsvetkov, D. F. Aminev, “Hypersound waves at the surface of CdZnTe crystals: The role of surface orientation and scattering at twin boundaries”, JETP Letters, 106:8 (2017), 503–508  isi  scopus 3
2015
2. М. В. Кочнев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин, “Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 101:3 (2015),  200–206  mathnet  elib; M. V. Kochnev, V. A. Tsvetkov, N. N. Sibel'din, “Kinetics of accumulation of excess holes under photoexcitation and their relaxation in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells”, JETP Letters, 101:3 (2015), 183–188  isi  elib  scopus 4
2014
3. Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков, “Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  207–212  mathnet  elib; Yu. A. Aleshchenko, V. V. Kapaev, M. V. Kochiev, Yu. G. Sadof'ev, V. A. Tsvetkov, “Photoluminescence kinetics of multiperiod GaAs/AlGaAs structures with asymmetric barriers promising for making unipolar lasers”, JETP Letters, 99:4 (2014), 182–186  isi  elib  scopus
2012
4. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин, “Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012),  544–549  mathnet  elib; M. V. Kochiev, V. A. Tsvetkov, N. N. Sibel'din, “Accumulation of the excess of one type of charge carriers and the formation of trions in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells”, JETP Letters, 95:9 (2012), 481–485  isi  elib  scopus 4
2010
5. Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель, “Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  341–345  mathnet; T. M. Burbaev, M. N. Gordeev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, D. V. Shepel', “Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures”, JETP Letters, 92:5 (2010), 305–309  isi  scopus 20
2009
6. В. В. Белых, Нгуен Мань Хунг, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков, “Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения”, Письма в ЖЭТФ, 89:11 (2009),  681–684  mathnet; V. V. Belykh, Nguyen Manh Hung, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, A. V. Sharkov, “Emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells under intense nonresonant excitation”, JETP Letters, 89:11 (2009), 579–582  isi  scopus 4
2007
7. Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер, “Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур”, Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007),  410–413  mathnet; T. M. Burbaev, E. A. Bobrik, V. A. Kurbatov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, V. A. Tsvetkov, F. Schäffler, “Electron-hole liquid in strained SiGe layers of silicon heterostructures”, JETP Letters, 85:7 (2007), 331–334  isi  scopus 22
2002
8. Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, “Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке”, Письма в ЖЭТФ, 76:10 (2002),  732–737  mathnet; N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, “Modulation of the resonant Rayleigh light scattering spectrum of GaAs/AlGaAs structures with quantum wells under above-barrier illumination”, JETP Letters, 76:10 (2002), 628–632  scopus 6
1992
9. И. В. Кавецкая, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, “Низкотемпературная сверхлюминесценция слабо легированных кристаллов $n$-InSb, связанная с оптимальными флуктуациями примесного потенциала”, Физика твердого тела, 34:3 (1992),  857–863  mathnet  isi
1980
10. В. В. Цветков, В. Б. Федоров, В. А. Цветков, М. Н. Федорова, “Исследование жидкокристаллических переключателей плоскости поляризации света на основе твист-эффекта с двухчастотным управлением”, Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2306–2312  mathnet [V. V. Tsvetkova, V. B. Fedorov, V. A. Tsvetkov, M. N. Fedorova, “Investigation of liquid-crystal polarization-plane switches based on the twist effect and utilizing two-frequency control”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1342–1346  isi] 1
1979
11. И. В. Кавецкая, Н. Н. Сибельдин, В. Б. Стопачинский, В. А. Цветков, “Возбуждение импульсов звука в жидком $^4\mathrm{He}$ при оптической накачке германия”, Докл. АН СССР, 244:3 (1979),  559–562  mathnet
1974
12. В. А. Цветков, Н. А. Морозов, М. И. Елинсон, “«Картинная» логика и жидкие кристаллы”, Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1785–1793  mathnet [V. A. Tsvetkov, N. A. Morozov, M. I. Elinson, ““Picture” logic and liquid crystals”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 989–993] 6

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024