|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
А. Ю. Клоков, В. С. Кривобок, А. И. Шарков, В. А. Цветков, Д. Ф. Аминев, “Гиперзвуковые волны на поверхности кристаллического CdZnTe: роль ориентации поверхности и рассеяние на границах двойников”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 485–490 ; A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov, V. A. Tsvetkov, D. F. Aminev, “Hypersound waves at the surface of CdZnTe crystals: The role of surface orientation and scattering at twin boundaries”, JETP Letters, 106:8 (2017), 503–508 |
3
|
|
2015 |
2. |
М. В. Кочнев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин, “Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок
в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 101:3 (2015), 200–206 ; M. V. Kochnev, V. A. Tsvetkov, N. N. Sibel'din, “Kinetics of accumulation of excess holes under photoexcitation and their relaxation in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells”, JETP Letters, 101:3 (2015), 183–188 |
4
|
|
2014 |
3. |
Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков, “Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур
GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания
униполярных лазеров”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 207–212 ; Yu. A. Aleshchenko, V. V. Kapaev, M. V. Kochiev, Yu. G. Sadof'ev, V. A. Tsvetkov, “Photoluminescence kinetics of multiperiod GaAs/AlGaAs structures with asymmetric barriers promising for making unipolar lasers”, JETP Letters, 99:4 (2014), 182–186 |
|
2012 |
4. |
М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин, “Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в
мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012), 544–549 ; M. V. Kochiev, V. A. Tsvetkov, N. N. Sibel'din, “Accumulation of the excess of one type of charge carriers and the formation of trions in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells”, JETP Letters, 95:9 (2012), 481–485 |
4
|
|
2010 |
5. |
Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель, “Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 341–345 ; T. M. Burbaev, M. N. Gordeev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, D. V. Shepel', “Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures”, JETP Letters, 92:5 (2010), 305–309 |
20
|
|
2009 |
6. |
В. В. Белых, Нгуен Мань Хунг, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков, “Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения”, Письма в ЖЭТФ, 89:11 (2009), 681–684 ; V. V. Belykh, Nguyen Manh Hung, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, A. V. Sharkov, “Emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells under intense nonresonant excitation”, JETP Letters, 89:11 (2009), 579–582 |
4
|
|
2007 |
7. |
Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер, “Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур”, Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007), 410–413 ; T. M. Burbaev, E. A. Bobrik, V. A. Kurbatov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, V. A. Tsvetkov, F. Schäffler, “Electron-hole liquid in strained SiGe layers of silicon heterostructures”, JETP Letters, 85:7 (2007), 331–334 |
22
|
|
2002 |
8. |
Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, “Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке”, Письма в ЖЭТФ, 76:10 (2002), 732–737 ; N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, “Modulation of the resonant Rayleigh light scattering spectrum of GaAs/AlGaAs structures with quantum wells under above-barrier illumination”, JETP Letters, 76:10 (2002), 628–632 |
6
|
|
1992 |
9. |
И. В. Кавецкая, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, “Низкотемпературная сверхлюминесценция слабо легированных кристаллов $n$-InSb, связанная с оптимальными флуктуациями примесного потенциала”, Физика твердого тела, 34:3 (1992), 857–863 |
|
1980 |
10. |
В. В. Цветков, В. Б. Федоров, В. А. Цветков, М. Н. Федорова, “Исследование жидкокристаллических переключателей плоскости поляризации света на основе твист-эффекта с двухчастотным управлением”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2306–2312 [V. V. Tsvetkova, V. B. Fedorov, V. A. Tsvetkov, M. N. Fedorova, “Investigation of liquid-crystal polarization-plane switches based on the twist effect and utilizing two-frequency control”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1342–1346 ] |
1
|
|
1979 |
11. |
И. В. Кавецкая, Н. Н. Сибельдин, В. Б. Стопачинский, В. А. Цветков, “Возбуждение импульсов звука в жидком $^4\mathrm{He}$ при оптической накачке германия”, Докл. АН СССР, 244:3 (1979), 559–562 |
|
1974 |
12. |
В. А. Цветков, Н. А. Морозов, М. И. Елинсон, “«Картинная» логика и жидкие кристаллы”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1785–1793 [V. A. Tsvetkov, N. A. Morozov, M. I. Elinson, ““Picture” logic and liquid crystals”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 989–993] |
6
|
|