|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 7, страницы 410–413
(Mi jetpl1004)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур
Т. М. Бурбаевa, Е. А. Бобрикa, В. А. Курбатовa, М. М. Рзаевa, Н. Н. Сибельдинa, В. А. Цветковa, Ф. Шэффлерb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
b Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, J.
Kepler Universität Linz, A-4040 Linz, Austria
Аннотация:
Обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ) в тонких напряженных $\rm{SiGe}$-слоях гетероструктур $\rm{Si/Si_{1-\emph x}Ge_ph x/Si}$. Определены плотность и энергия связи ЭДЖ, которые из-за наличия внутренних напряжений в $\rm{SiGe}$-слое существенно меньше, чем у ЭДЖ в объемном монокристалле твердого раствора такого же состава. Из экспериментальных данных оценена критическая температура перехода экситонный газ – ЭДЖ. При температурах, превышающих критическую, и высоких уровнях возбуждения имеет место переход Мотта: экситонный газ – электронно-дырочная плазма.
Поступила в редакцию: 28.02.2007
Образец цитирования:
Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер, “Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур”, Письма в ЖЭТФ, 85:7 (2007), 410–413; JETP Letters, 85:7 (2007), 331–334
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1004 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i7/p410
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 255 | PDF полного текста: | 107 | Список литературы: | 65 |
|