|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 5, страницы 341–345
(Mi jetpl1403)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
Т. М. Бурбаевa, М. Н. Гордеевa, Д. Н. Лобановb, А. В. Новиковb, М. М. Рзаевa, Н. Н. Сибельдинa, М. Л. Скориковa, В. А. Цветковa, Д. В. Шепельa a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН,
Москва, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
В квантово-размерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si II рода обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме
в SiGe-слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные $p_0\approx 8.5\cdot10^{11}$ см$^{-2}$ и $n_0 \approx4.8\cdot10^{18}$ см$^{-3}$, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.
Поступила в редакцию: 06.07.2010
Образец цитирования:
Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель, “Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 341–345; JETP Letters, 92:5 (2010), 305–309
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1403 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i5/p341
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 279 | PDF полного текста: | 74 | Список литературы: | 24 |
|