Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 95, выпуск 9, страницы 544–549 (Mi jetpl2551)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs

М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
PDF полного текста (362 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В экспериментах, выполненных при различных частотах следования пикосекундных лазерных импульсов внутриямного, надбарьерного и “двухцветного” возбуждения, исследована динамика экситонов и трионов в структурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами (КЯ). Установлено, что ключевую роль в формировании и динамике экситон-трионной системы, определяющую ее парциальный состав и кинетические свойства, играют избыточные одноименные носители заряда, накапливающиеся в КЯ при надбарьерной накачке. Из экспериментальных данных оценено время существования в КЯ избыточных носителей заряда, которое превышает $10$ мкс.
Поступила в редакцию: 11.04.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 95, Issue 9, Pages 481–485
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012090056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин, “Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 95:9 (2012), 544–549; JETP Letters, 95:9 (2012), 481–485
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KocTsvSib12}
\by М.~В.~Кочиев, В.~А.~Цветков, Н.~Н.~Сибельдин
\paper Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в
мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 95
\issue 9
\pages 544--549
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2551}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17797375}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 95
\issue 9
\pages 481--485
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012090056}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000306427100010}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20477745}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84864089704}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2551
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v95/i9/p544
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:202
    PDF полного текста:82
    Список литературы:48
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024