Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке

Обнаружено, что дополнительная подсветка излучением с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны в барьерных слоях, приводит к сильной (глубиной до 40% при использовавшихся мощностях подсветки) модуляции интенсивности света, упруго рассеянного при резонансном возбуждении экситонных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs структур. Наблюдавшийся эффект связан, по-видимому, с перераспределением сил осцилляторов экситонных переходов вследствие образования заряженных трехчастичных экситонных комплексов (трионов), возникающих благодаря преимущественному захвату в квантовые ямы одноименно заряженных неравновесных носителей заряда (в нашем случае дырок).