|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 10, страницы 732–737
(Mi jetpl2986)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке
Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Обнаружено, что дополнительная подсветка излучением с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны в барьерных слоях, приводит к сильной (глубиной до 40% при использовавшихся мощностях подсветки) модуляции интенсивности света, упруго рассеянного при резонансном возбуждении экситонных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs структур. Наблюдавшийся эффект связан, по-видимому, с перераспределением сил осцилляторов экситонных переходов вследствие образования заряженных трехчастичных экситонных комплексов (трионов), возникающих благодаря преимущественному захвату в квантовые ямы одноименно заряженных неравновесных носителей заряда (в нашем случае дырок).
Поступила в редакцию: 18.10.2002
Образец цитирования:
Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, “Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке”, Письма в ЖЭТФ, 76:10 (2002), 732–737; JETP Letters, 76:10 (2002), 628–632
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2986 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i10/p732
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 260 | PDF полного текста: | 87 | Список литературы: | 62 |
|