Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения

В микрорезонаторе на основе GaAs с встроенными квантовыми ямами изучена временна́я динамика процесса излучения при высоких уровнях нерезонансного возбуждения пикосекундными лазерными импульсами. При уровнях накачки, превышающих порог лазерной генерации, измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии излучения. Установлено, что после импульса возбуждения линия излучения сдвигается в сторону бо́льших энергий в течение некоторого времени, сравнимого с временем достижения максимума интенсивности излучения, а затем движется в обратную сторону к ее положению при низкой поляритонной плотности. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения и достигает минимума, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Показано, что в начальные моменты времени после импульса возбуждения система находится в режиме слабой экситон-фотонной связи и переходит с течением времени в режим сильной связи.