|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, S. N. Timoshnev, “Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2436   ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2455–2458 |
1
|
| 2. |
С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев, “Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2294–2297 ; S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 |
3
|
| 3. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 17–20 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 |
8
|
|
2018 |
| 4. |
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, Д. Е. Марченко, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58 ; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, D. E. Marchenko, S. N. Timoshnev, “The electronic structure of the Cs/$n$-GaN(0001) nano-interface”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 247–250 |
5
|
|
2016 |
| 5. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1348–1352 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 |
3
|
| 6. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, Б. В. Сеньковский, С. Н. Тимошнев, “Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 465–469 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, B. V. Senkovskiy, S. N. Timoshnev, “Induced surface states of the ultrathin Ва/3$C$-SiC(111) interface”, Semiconductors, 50:4 (2016), 457–461 |
2
|
| 7. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 |
3
|
|
2012 |
| 8. |
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, В. П. Евтихиев, А. С. Школьников, “Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012), 363–366 ; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, V. P. Evtikhiev, A. S. Shkolnikov, “Photoemission from InAs/GaAs quantum dots decorated with cesium adatoms”, JETP Letters, 96:5 (2012), 332–335   |
1
|
|
2010 |
| 9. |
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа”, Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743 ; G. V. Benemanskaya, V. N. Zhmerik, M. N. Lapushkin, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of a Ba/n-AlGaN(0001) interface and the formation of a degenerate 2D electron gas”, JETP Letters, 91:12 (2010), 670–674 |
3
|
|
2008 |
| 10. |
Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, С. Н. Тимошнев, “Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва”, Письма в ЖЭТФ, 87:2 (2008), 119–123 ; G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, S. N. Timoshnev, “Self-organization of nanostructures on the n -GaN(0001) surface in the Cs and Ba adsorption”, JETP Letters, 87:2 (2008), 111–114 |
3
|
|
2005 |
| 11. |
Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности $n$-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 642–645 ; G. V. Benemanskaya, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Charge accumulation layer on the n-GaN (0001) surface with ultrathin Ba coatings”, JETP Letters, 81:10 (2005), 519–522 |
4
|
|
2003 |
| 12. |
И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт, “Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003), 270–274 ; I. V. Afanas'ev, G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, G. É. Frank-Kamenetskaya, N. M. Shmidt, “Oscillations in the threshold photoemission spectra of GaN(0001) with submonolayer Cs coverages”, JETP Letters, 77:5 (2003), 226–229 |
3
|
|
2001 |
| 13. |
Г. В. Бенеманская, К. Е. Ровинский, Г. Э. Франк-Каменецкая, “Возбуждение 2D плазмонов в системе Cs/W(110)”, Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001), 88–91 ; G. V. Benemanskaya, K. Y. Rovinskii, G. É. Frank-Kamenetskaya, “Excitation of 2D plasmons in a Cs/W(110) system”, JETP Letters, 74:2 (2001), 84–86 |
1
|
|
1987 |
| 14. |
Г. В. Бенеманская, О. П. Бурмистрова, М. Н. Лапушкин, “Формирование двумерных электронных зон в системе W (110)$-$Ba при субмонослойных покрытиях”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1646–1652 |
|
Обратная связь: