|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, А. В. Неженцев, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1260–1263   |
| 2. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994 |
1
|
| 3. |
В. И. Егоркин, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 15–17 |
|
2020 |
| 4. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. А. Зайцев, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, “Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 877–884 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 |
1
|
| 5. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. А. Зайцев, А. Н. Клочков, “Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1203–1210 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 |
3
|
|
2019 |
| 6. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
5
|
|
2018 |
| 7. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. С. Васильевский, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, О. Ю. Волков, В. В. Павловский, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, “Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1268–1273 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, I. S. Vasil'evskii, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, O. Yu. Volkov, V. V. Pavlovskiy, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, “Temperature dependences of the threshold current and output power of a quantum-cascade laser emitting at 3.3 THz”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1380–1385 |
14
|
|
2017 |
| 8. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 |
15
|
|
Обратная связь: