Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)

Представлены результаты исследований электрофизических и фотолюминесцентных характеристик, а также морфологии поверхности эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (110). Легированные кремнием эпитаксиальные слои были выращены в широком диапазоне температур роста от 410 до 680$^\circ$С и при соотношении потоков мышьяка и галлия от 14 до 84. Методом атомно-силовой микроскопии определены диапазоны условий роста, при которых поверхность эпитаксиальных пленок получается наиболее гладкой. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учетом занятия ими узлов Ga или As, т. е. с учетом возникновения точечных дефектов Si$_{Ga}$ и Si$_{As}$, а также образования вакансий мышьяка и галлия $V_{As}$ и $V_{Ga}$.