Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 989–994
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51551.46 (Mi phts4932) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K

Р. А. Хабибуллинab, К. В. Маремьянинcd, Д. С. Пономаревa, Р. Р. Галиевab, А. А. Зайцевe, А. И. Даниловf, И. С. Васильевскийg, А. Н. Виниченкоg, А. Н. Клочковg, А. А. Афоненкоh, Д. В. Ушаковh, С. В. Морозовcd, В. И. Гавриленкоcd

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
e Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
f Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
g Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
h Белорусский государственный университет, г. Минск
PDF полного текста (683 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51551.46
Аннотация: Оптимизирована зонная структура квантово-каскадного лазера с активным модулем на основе трех квантовых ям GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As для высокотемпературной генерации на частоте $\sim$ 3.3 ТГц. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена гетероструктура с толщиной активной области 10 мкм и отклонением толщины активного модуля от номинального $<1$%. Изготовленные терагерцовые квантово-каскадные лазеры с двойным металлическим волноводом позволяют получить генерацию вплоть до температуры 125 K. Исследования вольт-амперной характеристики, зависимости интегрального излучения от тока и спектров генерации показали хорошее согласие с рассчитанными характеристиками.
Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, терагерцовый диапазон, квантовая яма, молекулярно-лучевая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-30020
Министерство образования и науки Российской Федерации 0723-2020-0037
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 21-72-30020 (теоретические расчеты, изготовление и измерение характеристик ККЛ), а также в рамках государственного задания НИЯУ МИФИ (проект № 0723-2020-0037 – отработка технологии и рост структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии).
Поступила в редакцию: 18.05.2021
Исправленный вариант: 25.05.2021
Принята в печать: 25.05.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2022, Volume 56
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782622010080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaMarPon21}
\by Р.~А.~Хабибуллин, К.~В.~Маремьянин, Д.~С.~Пономарев, Р.~Р.~Галиев, А.~А.~Зайцев, А.~И.~Данилов, И.~С.~Васильевский, А.~Н.~Виниченко, А.~Н.~Клочков, А.~А.~Афоненко, Д.~В.~Ушаков, С.~В.~Морозов, В.~И.~Гавриленко
\paper Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 989--994
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4932}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51551.46}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668666}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4932
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p989
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:95
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024