|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. Б. Бабанлы, З. А. Джахангирли, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Т. Г. Мамедов, М. М. Отроков, А. М. Шикин, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067   ; N. A. Abdullaev, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. B. Babanly, Z. A. Jahangirli, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, T. G. Mamedov, M. M. Otrokov, A. M. Shikin, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “The charge transport mechanism in a new magnetic topological insulator MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1120–1125 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926 ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
2
|
| 3. |
З. И. Бадалова, Н. А. Абдуллаев, Г. Х. Аждаров, Х. В. Алигулиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, Н. T. Maмедов, “Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 309–313 ; Z. I. Badalova, N. A. Abdullaev, G. H. Azhdarov, Kh. V. Aliguliyeva, S. Sh. Gahramanov, S. A. Nemov, N. T. Mamedov, “Anharmonicity of lattice vibrations in Bi$_{2}$Se$_{3}$ single crystals”, Semiconductors, 53:3 (2019), 291–295 |
6
|
|
2017 |
| 4. |
Н. А. Абдуллаев, К. М. Джафарли, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 981–985 ; N. A. Abdullaev, K. M. Jafarli, Kh. V. Aliguliyeva, L. N. Aliyeva, S. Sh. Gahramanov, S. A. Nemov, “Effect of doping with rare-earth elements (Eu, Tb, Dy) on the conductivity of Bi$_{2}$Te$_{3}$ layered single crystals”, Semiconductors, 51:7 (2017), 942–946 |
9
|
| 5. |
P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557 ; R. R. Guseinov, V. A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “In InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
Н. А. Абдуллаев, О. З. Алекперов, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, А. М. Керимова, Н. Т. Мамедов, “Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1806–1811 ; N. A. Abdullaev, O. Z. Alekperov, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, A. M. Kerimova, N. T. Mamedov, “Weak antilocalization in thin films of the Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ solid solution”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1870–1875 |
1
|
|
Обратная связь: