|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1887–1889   |
| 2. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 24–27 ; D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1226–1231 ; E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Electrophysical properties investigation of Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ ferroelectric films in paraelectric state”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1380–1385 |
2
|
| 4. |
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, Дж. И. Гусейнов, Н. Ш. Алиев, “Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 121–124 ; M. S. Afanasiev, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, A. E. Nabiyev, J. И. Huseynov, N. Sh. Aliev, “Conductivity of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 164–167 |
1
|
|
2019 |
| 5. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 481–484 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of the characteristics of field-resistant silicon–ultrathin oxide–polysilicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 465–468 |
5
|
| 6. |
Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 89–92 ; E. I. Goldman, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “On the nature of the increase in the electron mobility in the inversion channel at the silicon–oxide interface after the field effect”, Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88 |
1
|
| 7. |
Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 46–49 ; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Determination of the parameters of metal–insulator–semiconductor structures with ultrathin insulating layer from high-frequency capacitance–voltage measurements”, Semiconductors, 53:1 (2019), 42–45 |
6
|
|
2017 |
| 8. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1185–1188 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1136–1140 |
9
|
|
Обратная связь: