Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний

Приведены результаты исследований особенностей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Оказалось, что происходящая с изменением полевого напряжения общая перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей на порядок выше, чем у подверженных повреждению полевым стрессовым воздействием образцов. Туннельная вольт-амперная характеристика имеет существенно асимметричный вид: ток, протекающий из полевого электрода в кремниевую подложку, на несколько порядков меньше тока, протекающего из кремния в поликремний, при одинаковых значениях внешнего напряжения, падающего на изолирующий слой. Для объяснения такой асимметрии предположено, что в переходном слое от поликремния к окислу потенциальный барьер, разделяющий полупроводниковые электрод и подложку, имеет высоту $\sim$1 эВ и поэтому всегда препятствует электропереносу; для обратных потоков этот барьер перестает ограничивать проводимость, как только уровень туннелирования станет выше него.