Аннотация:
Для параэлектрического состояния получены феноменологические аналитические выражения, связывающие емкость сегнетоэлектрической пленки с коэффициентами разложения свободной энергии по степеням поляризации вещества. При температурах выше точки перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-Ba0.8Sr0.2TiO3-металл. Из сопоставления теоретических и экспериментальных данных построены зависимости поляризации пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 от внешнего напряжения и определены значения параметров теории фазовых переходов второго рода Гинзбурга–Ландау для исследованных объектов.
Ключевые слова:
структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, емкость.
Работа выполнена в рамках государственного задания и частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты РФФИ: № 18-29-11029, № 19-07-00271, № 19-29-03042).
Поступила в редакцию: 24.03.2020 Исправленный вариант: 24.03.2020 Принята в печать: 30.03.2020
Образец цитирования:
Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 в параэлектрическом состоянии”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1226–1231; Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1380–1385
\RBibitem{GolNarChu20}
\by Е.~И.~Гольдман, В.~Г.~Нарышкина, Г.~В.~Чучева
\paper Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии
\jour Физика твердого тела
\yr 2020
\vol 62
\issue 8
\pages 1226--1231
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8345}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2020.08.49606.064}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43818062}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2020
\vol 62
\issue 8
\pages 1380--1385
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783420080168}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8345
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i8/p1226
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
Evgeny I. Goldman, Galina V. Chucheva, Dmitry A. Belorusov, “On the form of high-frequency voltage-capacitance characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer BaxSr1-хTiO3”, Ceramics International, 47:15 (2021), 21248
Evgeny I. Goldman, Galina V. Chucheva, Mikhail S. Afanasiev, Dmitry A. Kiselev, “Changes in the structural and electrophysical properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 films with decreasing thickness”, Chaos, Solitons & Fractals, 141 (2020), 110315