Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний

Приведены результаты исследований структур кремний-сверхтонкий окисел (42 $\mathring{\mathrm{A}}$)-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Выяснилось, что происходящая с изменением полевого напряжения суммарная перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка–изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей заряда близка к аналогичной характеристике структур с толщиной окисла 37 $\mathring{\mathrm{A}}$. Ток через SiО$_{2}$ в состоянии обогащения полупроводника увеличивается с напряжением гораздо сильнее, чем в состоянии обеднения. Причем асимметрия вольт-амперных характеристик по отношению к полярности падающего на изоляторе напряжения у образцов с толщиной SiО$_{2}$ 42 $\mathring{\mathrm{A}}$ более резко выражена, чем у структур с окислом 37 $\mathring{\mathrm{A}}$. Объяснение такой асимметрии возможно, если потенциальный рельеф в изоляторе имеет максимум, существенно смещенный к границе раздела окисел – поликремний, а потенциал на ветви со стороны полупроводника значительно спадает к контакту с подложкой.