Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 89–92
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46993.8860 (Mi phts5617) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия

Е. И. Гольдманa, А. Э. Набиевb, В. Г. Нарышкинаa, Г. В. Чучеваa

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Азербайджанский государственный педагогический университет
PDF полного текста (114 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46993.8860
Аннотация: В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0–5 Тл при температурах от 100 до 200 K проведены измерения характеристик проводимости канала инверсии Si-транзисторных структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. После ионной поляризации при температуре 420 K под действием сильного электрического поля в окисле перетекало не менее 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ ионов. Обнаруженное ранее повышение проводимости в цепи исток-сток после поляризации изолирующих слоев до 10 раз объяснено образованием нового пути электропереноса по поверхностной примесной зоне, связанной с делокализованными D$^{-}$-состояниями, которые генерируются нейтрализованными ионами, расположенными в изолирующем слое у границы раздела с полупроводником.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00666
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 32
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РФФИ № 16-07-00666 и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН № 32 “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий”.
Поступила в редакцию: 12.03.2018
Исправленный вариант: 19.03.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 85–88
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010093
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 89–92; Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GolNabNar19}
\by Е.~И.~Гольдман, А.~Э.~Набиев, В.~Г.~Нарышкина, Г.~В.~Чучева
\paper О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 89--92
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5617}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46993.8860}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476612}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 85--88
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010093}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5617
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p89
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024