Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик

Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник–диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл–окисел–полупроводник на основе $n$-Si с толщиной окисла 39 $\mathring{\mathrm{A}}$ проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2–3%.