|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Д. С. Пономарёв, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Н. В. Черномырдин, И. Е. Спектор, В. Н. Курлов, В. В. Кведер, К. И. Зайцев, “Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации”, УФН, 194:1 (2024), 2–22  ; D. S. Ponomarev, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, N. V. Chernomyrdin, I. E. Spektor, V. N. Kurlov, V. V. Kveder, K. I. Zaytsev, “Optical-to-terahertz switches: state of the art and new opportunities for multispectral imaging”, Phys. Usp., 67:1 (2024), 3–21   |
2
|
|
2021 |
| 2. |
А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, Д. С. Пономарев, “Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах”, Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021), 741–746  ; A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, D. S. Ponomarev, “Photoconductive THz detector based on new functional layers in multi-layer heterostructures”, Optics and Spectroscopy, 129:8 (2021), 851–856 |
|
2020 |
| 3. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1012–1019 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Emission efficiency of terahertz antennas with conventional topology and metal metasurface: a comparative analysis”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1018–1025 |
4
|
| 4. |
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. Э. Ячменев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, А. М. Буряков, Е. Д. Мишина, “Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 10–14 ; A. V. Gorbatova, D. I. Khusyainov, A. E. Yachmenev, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, A. M. Buryakov, E. D. Mishina, “A photoconductive THz detector based on a superlattice heterostructure with plasmonic amplification”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1111–1115 |
8
|
|
2019 |
| 5. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, А. Э. Ячменев, М. В. Майтама, И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 663–669 ; D. V. Lavrukhin, R. R. Galiev, A. Yu. Pavlov, A. E. Yachmenev, M. V. Maytama, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Plasmonic photoconductive antennas for terahertz pulsed spectroscopy and imaging systems”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 580–586 |
9
|
|
2018 |
| 6. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Н. Клочков, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, “Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 723–728 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. N. Klochkov, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, “Ultrafast dynamics of photoexcited charge carriers in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As superlattices under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 864–869 |
5
|
| 7. |
А. М. Буряков, Д. И. Хусяинов, Е. Д. Мишина, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. С. Пономарев, “Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 146–157 ; A. M. Buryakov, D. I. Khusyainov, E. D. Mishina, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. S. Ponomarev, “The role of excitation photons energy in the photoinduced carrier dynamics in InGaAs/InAlAs superlattice heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1115–1119 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, А. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, И. А. Глинский, Д. В. Лаврухин, О. А. Рубан, П. П. Мальцев, “Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, A. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, I. A. Glinskiy, D. V. Lavrukhin, O. A. Ruban, P. P. Maltsev, “Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1218–1223 |
14
|
| 9. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, П. П. Мальцев, М. М. Грехов, И. Е. Иляков, Б. В. Шишкин, Р. А. Ахмеджанов, “Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, P. P. Maltsev, M. M. Grekhov, I. E. Ilyakov, B. V. Shishkin, R. A. Akhmedzhanov, “Terahertz radiation in In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, grown on a GaAs wafer with a metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 51:4 (2017), 509–513 |
15
|
| 10. |
Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, “Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 48–54 ; D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, “Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1020–1022 |
8
|
|
2016 |
| 11. |
Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Д. С. Пономарев, А. С. Бугаев, П. П. Мальцев, “Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190 ; R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, D. S. Ponomarev, A. S. Bugaev, P. P. Maltsev, “Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 185–190 |
5
|
|
Обратная связь: