Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 23, страницы 146–157
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47022.17469 (Mi pjtf5630) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs

А. М. Буряковa, Д. И. Хусяиновa, Е. Д. Мишинаa, Р. А. Хабибуллинbc, А. Э. Ячменевbc, Д. С. Пономаревbc

a МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (216 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47022.17469
Аннотация: Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.7331.2017/9.10
МК-5450.2018.2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00843
16-29-14029 офи_м
Российский научный фонд 18-79-10195
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (государственное задание № 3.7331.2017/9.10) и РФФИ (гранты 18-02-00843 и 16-29-14029 офи_м). Эпитаксиальный рост сверхрешеточной гетероструктуры InGaAs/InAlAs проведен А.Э. Ячменевым, Д.С. Пономаревым и Р.А. Хабибуллиным при финансовой поддержке гранта РНФ 18-79-10195 и гранта Президента МК-5450.2018.2.
Поступила в редакцию: 24.07.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 12, Pages 1115–1119
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Буряков, Д. И. Хусяинов, Е. Д. Мишина, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. С. Пономарев, “Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 146–157; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1115–1119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BurKhuMis18}
\by А.~М.~Буряков, Д.~И.~Хусяинов, Е.~Д.~Мишина, Р.~А.~Хабибуллин, А.~Э.~Ячменев, Д.~С.~Пономарев
\paper Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 23
\pages 146--157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5630}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47022.17469}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37044664}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 12
\pages 1115--1119
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018120192}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5630
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i23/p146
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024