Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs

Проведено исследование электронного транспорта и оптических свойств в структурах с нанонитями из атомов олова (Sn-НН) на вицинальных подложках GaAs с углами разориентации 0.3 и 3$^\circ$ относительно точной ориентации (100). На вольт-амперных характеристиках образцов обнаружена анизотропия тока насыщения при протекании тока вдоль (ориентация $\parallel$) и поперек (ориентация $\perp$) Sn-НН: для гомоструктур отношение токов $I_\parallel/I_\perp\approx$ 1.2, для PHEMT-структур $I_\parallel/I_\perp\approx$ 2.5. В реальном масштабе времени проведены исследования колебаний тока в зависимости от тянущего напряжения и светового воздействия при протекании тока перпендикулярно Sn-НН. Показана явная анизотропия частотных характеристик PHEMT.