Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 535–539
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44348.8413
(Mi phts6190)
 

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем

Д. С. Пономаревa, Р. А. Хабибуллинa, А. Э. Ячменевa, П. П. Мальцевa, М. М. Греховb, И. Е. Иляковc, Б. В. Шишкинc, Р. А. Ахмеджановc

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
Аннотация: Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет $\sim$10$^{-5}$ при достаточно малом оптическом флюенсе $\sim$40 мкДж/см$^{2}$, что почти на два порядка выше, чем в “низкотемпературном” GaAs.
Поступила в редакцию: 26.09.2016
Принята в печать: 03.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 509–513
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, П. П. Мальцев, М. М. Грехов, И. Е. Иляков, Б. В. Шишкин, Р. А. Ахмеджанов, “Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539; Semiconductors, 51:4 (2017), 509–513
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PonKhaYac17}
\by Д.~С.~Пономарев, Р.~А.~Хабибуллин, А.~Э.~Ячменев, П.~П.~Мальцев, М.~М.~Грехов, И.~Е.~Иляков, Б.~В.~Шишкин, Р.~А.~Ахмеджанов
\paper Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 535--539
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6190}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44348.8413}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404897}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 509--513
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6190
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p535
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024