|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Д. С. Пономаревa, Р. А. Хабибуллинa, А. Э. Ячменевa, П. П. Мальцевa, М. М. Греховb, И. Е. Иляковc, Б. В. Шишкинc, Р. А. Ахмеджановc a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Приведены результаты исследований генерации терагерцового (ТГц) излучения с помощью спектроскопии с временным разрешением в структуре с фотопроводящим слоем In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As. Исследуемая структура, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с помощью метаморфного буфера, позволяет генерировать ТГц излучение с широким спектром частот (вплоть до 6 ТГц). Это связано с дополнительным вкладом фотовольтаического эффекта Дембера в генерацию ТГц излучения. Измеренная эффективность оптико-терагерцового преобразования в такой структуре составляет $\sim$10$^{-5}$ при достаточно малом оптическом флюенсе $\sim$40 мкДж/см$^{2}$, что почти на два порядка выше, чем в “низкотемпературном” GaAs.
Поступила в редакцию: 26.09.2016 Принята в печать: 03.10.2016
Образец цитирования:
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, П. П. Мальцев, М. М. Грехов, И. Е. Иляков, Б. В. Шишкин, Р. А. Ахмеджанов, “Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539; Semiconductors, 51:4 (2017), 509–513
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6190 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p535
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 17 |
|