Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 22, страницы 48–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958 (Mi pjtf6070) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн

Д. И. Хусяиновa, А. М. Буряковa, В. Р. Билыкa, Е. Д. Мишинаa, Д. С. Пономаревb, Р. А. Хабибуллинb, А. Э. Ячменевb

a МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
PDF полного текста (517 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958
Аннотация: Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временно́й области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках In$_{y}$Ga$_{1-y}$As. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки In$_{y}$Ga$_{1-y}$As с бо́льшим механическим напряжением.
Поступила в редакцию: 07.07.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 11, Pages 1020–1022
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017110220
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, “Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 48–54; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1020–1022
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhuBurBil17}
\by Д.~И.~Хусяинов, А.~М.~Буряков, В.~Р.~Билык, Е.~Д.~Мишина, Д.~С.~Пономарев, Р.~А.~Хабибуллин, А.~Э.~Ячменев
\paper Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 22
\pages 48--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6070}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30502908}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 11
\pages 1020--1022
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017110220}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6070
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i22/p48
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024