Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Вейнгер Анатолий Иосифович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 19
Научных статей: 18

Статистика просмотров:
Эта страница:98
Страницы публикаций:923
Полные тексты:395
Списки литературы:16
доктор физико-математических наук (1986)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 15.06.1936

Научная биография:

Вейнгер, Анатолий Иосифович. Исследование примесных центров в некоторых полупроводниках методами, связанными с использованием СВЧ-полей : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. - Ленинград, 1969. - 168 с. : ил.

Вейнгер, Анатолий Иосифович. Электрические свойства горячей электронно-дырочной плазмы : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1986. - 319 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person161107
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=345
https://www.researchgate.net/profile/A-Veinger

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Э. Лахдеранта, П. В. Семенихин, “Обнаружение ферромагнитных свойств Si:P в области фазового перехода изолятор-металл”, Письма в ЖЭТФ, 115:11 (2022),  730–735  mathnet; A. I. Veinger, A. G. Zabrodskii, E. Lahderanta, P. V. Semenikhin, “Detection of the ferromagnetic properties of Si:P in the region of an insulator–metal phase transition”, JETP Letters, 115:11 (2022), 685–690 1
2021
2. И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев, “Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  313–318  mathnet  elib
2019
3. А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, Д. А. Фролов, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, Л. Д. Паранчич, “Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1413–1418  mathnet  elib; A. I. Veinger, I. V. Kochman, D. A. Frolov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, L. D. Paranchich, “Microwave magnetic absorption in HgSe with Co and Ni impurities”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1375–1380 1
4. А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, Т. А. Говоркова, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  317–322  mathnet  elib; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, T. A. Govorkova, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Specific features of the electron spin resonance of an iron impurity in HgSe crystals”, Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297 1
2018
5. А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1573–1577  mathnet  elib; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Conduction-electron spin resonance in HgSe crystals”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1672–1676 1
6. А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  847–852  mathnet  elib; A. I. Veinger, I. V. Kochman, V. I. Okulov, M. D. Andriichuk, L. D. Paranchich, “Microwave magnetoabsorption oscillations in Fe-doped HgSe crystals”, Semiconductors, 52:8 (2018), 980–985 2
2017
7. А. И. Вейнгер, Т. В. Тиснек, И. В. Кочман, В. И. Окулов, “Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  172–176  mathnet  elib; A. I. Veinger, T. V. Tisnek, I. V. Kochman, V. I. Okulov, “Magnetic-field-dependent microwave absorption in HgSe in weak magnetic fields”, Semiconductors, 51:2 (2017), 163–167 5
1992
8. Н. А. Аблязимова, А. И. Вейнгер, В. С. Питанов, “Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых $p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1041–1047  mathnet
1989
9. А. С. Хейфец, А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, С. В. Казаков, М. П. Тимофеев, “О природе СВЧ поглощения в сверхпроводящей керамике YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ в слабых магнитных полях”, Физика твердого тела, 31:1 (1989),  294–297  mathnet  isi
10. А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Л. А. Красиков, Н. Е. Хорошева, “Аномальное СВЧ поглощение в магнитонаполненных низкомолекулярных каучуках”, Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  59–61  mathnet  isi
1988
11. Н. А. Аблязимова, А. И. Вейнгер, В. С. Питанов, “Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2001–2007  mathnet
12. А. И. Вейнгер, “$N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1972–1978  mathnet
1987
13. Х. Р. Абдукаримова, А. И. Вейнгер, Р. С. Касымова, Л. Г. Парицкий, “Исследование неустойчивостей, возникающих в германии при эксклюзии возбужденных светом носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  552–554  mathnet
1986
14. А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, “Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC”, Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1659–1664  mathnet  isi
1985
15. А. И. Вейнгер, Р. С. Касымова, Х. Р. Норкулова, Л. Г. Парицкий, “Эксклюзия неравновесных носителей тока при высоком уровне оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  543–546  mathnet
16. А. И. Вейнгер, Р. С. Касымова, Х. Р. Норкулова, Л. Г. Парицкий, “Кинетика эксклюзии при высоком уровне оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  400–406  mathnet
1984
17. А. И. Вейнгер, А. А. Лепнева, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. И. Соколов, “Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2014–2019  mathnet
18. А. И. Вейнгер, А. А. Кочарян, М. П. Саргсян, С. Х. Худавердян, “Особенности фотоэлектрических характеристик $n{-}p$-перехода в сильных боковых электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  825–830  mathnet

2021
19. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024