Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1413–1418
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48299.9149 (Mi phts5388) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, Д. А. Фроловa, В. И. Окуловb, Т. Е. Говорковаb, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет
PDF полного текста (160 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48299.9149
Аннотация: Изучены особенности магнитозависимого микроволнового поглощения в образцах HgSe, легированных примесью Co и Ni в различной концентрации. Обнаружены спектры электронного парамагнитного резонанса слабо взаимодействующих атомов Co и особенности изменения магнитопоглощения при переходе магнитного поля через нулевое значение. Определены основные параметры спектров электронного парамагнитного резонанса, температурные и угловые зависимости микроволнового поглощения в слабых полях.
Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс, HgSe, микроволновое поглощение, спонтанная намагниченность.
Поступила в редакцию: 29.04.2019
Исправленный вариант: 13.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1375–1380
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100233
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, Д. А. Фролов, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, Л. Д. Паранчич, “Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1413–1418; Semiconductors, 53:10 (2019), 1375–1380
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VeiKocFro19}
\by А.~И.~Вейнгер, И.~В.~Кочман, Д.~А.~Фролов, В.~И.~Окулов, Т.~Е.~Говоркова, Л.~Д.~Паранчич
\paper Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1413--1418
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5388}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48299.9149}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174892}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1375--1380
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100233}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5388
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1413
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024