Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 847–852
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46208.8793 (Mi phts5752) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
PDF полного текста (233 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46208.8793
Аннотация: Рассмотрены осцилляции магнитосопротивления при поглощении микроволнового излучения в образцах HgSe с различной концентрацией примеси Fe. Из совместного анализа полевых и температурных зависимостей осцилляций Шубникова–де-Гааза были определены эффективная масса, температура Дингла и поле квантового предела, соответствующего уровню Ферми. Предложен способ анализа спектров при наличии нескольких частот осцилляций – эффект “биения”. Результаты сравнивались с данными, полученными из измерений на постоянном токе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00352
Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект № 16-02-00352).
Поступила в редакцию: 07.12.2017
Принята в печать: 15.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 980–985
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 847–852; Semiconductors, 52:8 (2018), 980–985
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VeiKocOku18}
\by А.~И.~Вейнгер, И.~В.~Кочман, В.~И.~Окулов, М.~Д.~Андрийчук, Л.~Д.~Паранчич
\paper Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 847--852
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5752}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46208.8793}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269425}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 980--985
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5752
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p847
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024