Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 317–322
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47281.8980 (Mi phts5559) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, Т. А. Говорковаb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет
PDF полного текста (143 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47281.8980
Аннотация: Рассмотрены спектры электронного парамагнитного резонанса ионов переходного металла Fe в матрице HgSe. Их вид является стандартным для иона Fe$^{3+}$, т. е. содержит 5 линий тонкой структуры с расщеплением, соответствующим слабому кристаллическому полю. Спектр наблюдается при температурах $T\le$ 50 K. Линии в спектрах искажены и имеют дайсоновскую форму. Анализ температурных зависимостей амплитуд линий показывает, что с понижением температуры происходит переход от парамагнетизма к ферромагнетизму с температурой Кюри $T\approx$ 7 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа подготовлена при поддержке Программы Президиума РАН “1.4. Актуальные проблемы физики низких температур”.
Поступила в редакцию: 10.09.2018
Исправленный вариант: 17.09.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 296–297
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, Т. А. Говоркова, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 317–322; Semiconductors, 53:3 (2019), 296–297
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VeiKocOku19}
\by А.~И.~Вейнгер, И.~В.~Кочман, В.~И.~Окулов, Т.~А.~Говоркова, М.~Д.~Андрийчук, Л.~Д.~Паранчич
\paper Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 317--322
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5559}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47281.8980}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477037}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 296--297
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5559
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p317
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024