|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe
А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет
Аннотация:
Изучены образцы бесщелевого полупроводника HgSe c различной концентрацией примеси железа. Образцы HgSe:Fe исследованы методом электронного парамагнитного резонанса. Рассмотрены множественные резонансные линии, обусловленные неспаренными спинами различного происхождения. Для описания свойств электронов, локализованных на мелких примесях, использована водородоподобная модель. Рассмотрено влияние внутреннего поля на резонансные линии. Обнаружено, что зона проводимости HgSe является не только непараболической, но также и несферической.
Поступила в редакцию: 04.05.2018 Принята в печать: 21.05.2018
Образец цитирования:
А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1573–1577; Semiconductors, 52:13 (2018), 1672–1676
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5630 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1573
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 43 |
|