|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях
А. И. Вейнгерa, Т. В. Тиснекa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Рассмотрен магниторезистивный эффект в полупроводнике HgSe : Fe в слабых магнитных полях на микроволновых частотах при низких температурах. Проанализированы отрицательная и положительная составляющие магнитопоглощения, основой которого является эффект магнитосопротивления в вырожденной зоне проводимости. Отмечены особенности экспериментов в этом диапазоне частот. Из анализа экспериментальных полевых и температурных зависимостей определены времена релаксации импульса и энергии электрона.
Поступила в редакцию: 28.06.2016 Принята в печать: 03.07.2016
Образец цитирования:
А. И. Вейнгер, Т. В. Тиснек, И. В. Кочман, В. И. Окулов, “Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 172–176; Semiconductors, 51:2 (2017), 163–167
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6227 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p172
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 6 |
|