Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Калиновский Виталий Станиславович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 15
Научных статей: 15

Статистика просмотров:
Эта страница:129
Страницы публикаций:763
Полные тексты:551
Списки литературы:12

https://www.mathnet.ru/rus/person160579
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Е. А. Гребенщикова, В. М. Андреев, “Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов”, ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074  mathnet  elib
2020
2. В. Б. Залесский, В. С. Калиновский, А. А. Ходин, “Метрология полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии”, ПФМТ, 2020, № 3(44),  22–29  mathnet
3. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$$i$$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$$i$$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 4
2019
4. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 8
5. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Андреева, В. М. Андреев, В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, А. М. Лемешевская, В. И. Кузоро, В. И. Халиманович, М. К. Зайцева, “Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  52–54  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Andreeva, V. M. Andreev, V. V. Malyutina-Bronskaya, V. B. Zalesskiy, A. M. Lemeshevskaya, V. I. Kuzoro, V. I. Khalimanovich, M. K. Zayceva, “Hybrid solar cells with a sunlight concentrator system”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 850–852 6
2018
6. А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 5
7. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 9
8. Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих $p$$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31  mathnet  elib; R. V. Levin, A. E. Marichev, E. V. Kontrosh, N. D. Prasolov, V. S. Kalinovskii, B. V. Pushnii, “Manufacture and study of switch $p$$n$-junctions for cascade photovoltaic cells”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1130–1132 1
9. В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 4
10. В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Е. В. Контрош, В. Н. Вербицкий, A. С. Титов, “Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  95–102  mathnet  elib; V. S. Kalinovskii, E. I. Terukov, E. V. Kontrosh, V. N. Verbitskii, A. S. Titov, “Radiation resistance of $\alpha$-Si:H/Si heterojunction solar cells with a thin $i$-$\alpha$-Si:H inner layer”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 801–803 4
2016
11. А. Л. Глазов, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, К. Л. Муратиков, “Исследование процесса отвода тепла на границе полупроводник-керамика в солнечных элементах лазерным термоволновым методом”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  33–40  mathnet  elib; A. L. Glazov, V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, K. L. Muratikov, “A study of the heat-removal process at the semiconductor–ceramics interface in solar cells by the laser thermal-wave method”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 570–573 7
1990
12. П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322  mathnet
1988
13. В. М. Андреев, Г. М. Гусинский, В. С. Калиновский, О. К. Салиева, В. А. Соловьев, О. В. Сулима, А. М. Хаммедов, “Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1391–1395  mathnet
1987
14. В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Н. Б. Джелепова, В. С. Калиновский, В. М. Лантратов, “Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах”, Письма в ЖТФ, 13:24 (1987),  1481–1485  mathnet  isi
1986
15. В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова, “Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  719–723  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024