Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H

Исследована деградация фотоэлектрических характеристик образцов гетеропереходных солнечных элементов на основе структур $\alpha$-Si : H/Si при облучении электронами (с энергией 3.8 MeV) флюенсами 1 $\cdot$ 10$^{12}$–1 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$. Показано, что КПД образцов исследованных гетеропереходных солнечных элементов в условиях освещенности АМ0 (0.136 W/cm$^{2}$) снижается на 25% при флюенсе 2 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$, что более чем на порядок превышает критический флюенс, достигнутый ранее при облучении высокоэнергетическими электронами кремниевых солнечных элементов с $p$–$n$-переходом и базой $n$-типа.