|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H
В. С. Калиновскийa, Е. И. Теруковab, Е. В. Контрошa, В. Н. Вербицкийa, A. С. Титовab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследована деградация фотоэлектрических характеристик образцов гетеропереходных солнечных элементов на основе структур $\alpha$-Si : H/Si при облучении электронами (с энергией 3.8 MeV) флюенсами 1 $\cdot$ 10$^{12}$–1 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$. Показано, что КПД образцов исследованных гетеропереходных солнечных элементов в условиях освещенности АМ0 (0.136 W/cm$^{2}$) снижается на 25% при флюенсе 2 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$, что более чем на порядок превышает критический флюенс, достигнутый ранее при облучении высокоэнергетическими электронами кремниевых солнечных элементов с $p$–$n$-переходом и базой $n$-типа.
Поступила в редакцию: 12.03.2018
Образец цитирования:
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Е. В. Контрош, В. Н. Вербицкий, A. С. Титов, “Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 95–102; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 801–803
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5713 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i17/p95
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 13 |
|