Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Матвеев Борис Анатольевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 34
Научных статей: 34

Статистика просмотров:
Эта страница:137
Страницы публикаций:1952
Полные тексты:739
доктор физико-математических наук (2010)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 2.08.1955
E-mail:
Сайт: https://ioffe.ru/liro/?u=sotrudniki+matveev

Научная биография:

Матвеев, Борис Анатольевич. Деформация в неизопериодных гетероструктурах на основе полупроводниковых твёрдых растворов $A_3B_5$ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1986. - 147 с. : ил.

Матвеев, Борис Анатольевич. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твёрдых растворов на его основе : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН]. - Б.м., 2010. - 258 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person160302
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20628
https://www.researchgate.net/profile/Boris-Matveev-3

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. Р. Э. Кунков, А. А. Климов, Н. М. Лебедева, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, “Длинноволновые ($\lambda_{0.1}$ = 10 $\mu$m, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb$_{0.38}$”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1505–1508  mathnet  elib
2. А. Л. Закгейм, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, А. Е. Черняков, “Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1502–1504  mathnet  elib
3. М. Е. Левинштейн, Б. А. Матвеев, N. D'yakonova, “Низкочастотные шумы и сопротивление фотодиодов с незащищенной поверхностью на основе InAsSbP/InAs в атмосфере паров этанола”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  19–24  mathnet  elib
2021
4. С. А. Карандашев, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, “Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197  mathnet  elib; S. A. Karandashov, T. S. Lukhmyrina, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, A. A. Usikova, “On the use of indium arsenide as the waveguide material in the measurements by attenuated total reflectance”, Optics and Spectroscopy, 129:11 (2021), 1231–1235 2
2020
5. Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, “Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, ЖТФ, 90:5 (2020),  835–840  mathnet  elib; B. A. Matveev, V. I. Ratushnyi, A. Yu. Rybalchenko, “Localization of current flow in thermophotovoltaic converters based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 799–804 2
2019
6. Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, “Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости”, ЖТФ, 89:8 (2019),  1233–1237  mathnet  elib; B. A. Matveev, V. I. Ratushnyi, A. Yu. Rybalchenko, “Comparative characteristic analysis of thermophotovoltaic $p$-InAsSbP/$n$-InAs converters irradiated on $p$- and $n$-sides”, Tech. Phys., 64:8 (2019), 1164–1167 3
7. Б. А. Матвеев, Г. Ю. Сотникова, “Светодиоды средневолнового ИК диапазона на основе гетероструктур A$^{3}$B$^{5}$ в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения 2014–2018”, Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  300–305  mathnet  elib; B. A. Matveev, G. Yu. Sotnikova, “Mid-IR leds based on A$^{3}$B$^{5}$ heterostructures for gas analyzers. Capabilities and applications 2014–2018”, Optics and Spectroscopy, 127:2 (2019), 322–327 13
8. С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, “Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157  mathnet  elib; S. A. Karandashov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, “Indium arsenide-based spontaneous emission sources (review: a decade later)”, Semiconductors, 53:2 (2019), 139–149 15
2018
9. С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов, А. А. Капралов, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Г. Ю. Сотникова, “Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени”, ЖТФ, 88:9 (2018),  1433–1438  mathnet  elib; S. E. Alexandrov, G. A. Gavrilov, A. A. Kapralov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, G. Yu. Sotnikova, “InAsSb diode optical pairs for real-time carbon dioxide sensors”, Tech. Phys., 63:9 (2018), 1390–1395 3
10. Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237  mathnet  elib; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “InAsSbP photodiodes for 2.6–2.8-$\mu$m wavelengths”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229 7
2017
11. А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275  mathnet  elib; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 13
2016
12. Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662  mathnet  elib; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “Photodiode 1 $\times$ 64 linear array based on a double $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs heterostructure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651 3
1992
13. М. Ш. Айдаралиев, Г. Г. Зегря, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256  mathnet
1991
14. Н. С. Аверкиев, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина, “Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  12–16  mathnet
15. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79  mathnet  isi
1990
16. Т. С. Аргунова, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, С. С. Рувимов, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs”, Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361  mathnet  isi
17. Н. В. Зотова, А. В. Лосев, Б. А. Матвеев, H. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко, “Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  76–80  mathnet  isi
1989
18. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52  mathnet  isi
1988
19. Б. А. Матвеев, В. И. Петров, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. В. Шабалин, “Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1244–1247  mathnet
20. Б. Ж. Кушкимбаева, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина, “Профиль деформации в градиентных структурах InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs”, Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2044–2048  mathnet  isi
21. М. Ш. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621  mathnet  isi
22. Б. Ж. Кушкимбаева, Б. А. Матвеев, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко, Е. И. Чайкина, “Перераспределение остаточных напряжений при профилировании подложек в структурах InGaSbAs/GaSb”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  247–250  mathnet  isi
1987
23. Б. А. Матвеев, Л. Г. Новикова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, М. А. Чернов, “Проявления краевых искажений на рентгеновских топограммах изогнутых структур GaAsSbP/GaAs”, ЖТФ, 57:10 (1987),  2000–2004  mathnet  isi
24. Б. Ж. Кушкимбаева, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, А. С. Филипченко, Е. И. Чайкина, “Фотолюминесценция пластически деформированного $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1914–1915  mathnet
25. Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Ю. Ю. Билинец, “Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084  mathnet
26. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565  mathnet  isi
27. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331  mathnet  isi
1986
28. С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792  mathnet  isi
29. Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447  mathnet  isi
1985
30. Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Л. Д. Неуймина, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035  mathnet
31. А. А. Бакун, Б. А. Матвеев, В. Б. Смирницкий, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175  mathnet  isi
1984
32. Н. С. Аверкиев, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798  mathnet
33. А. А. Бакун, Б. А. Матвеев, И. Н. Попов, А. А. Рогачев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Дифракция рентгеновских лучей на пластически деформированных эпитаксиальных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1297–1301  mathnet  isi
1983
34. Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Н. В. Стусь, Г. Н. Талалакин, Т. Д. Абишев, “Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  391–395  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025