Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 8, страницы 1233–1237
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.08.47897.355-18 (Mi jtf5542) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Твердотельная электроника

Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости

Б. А. Матвеевa, В. И. Ратушныйb, А. Ю. Рыбальченкоb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Волгодонский инженерно-технический институт – филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ
PDF полного текста (146 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.08.47897.355-18
Аннотация: Проведено моделирование основных характеристик термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs в конструкциях с контактом ограниченной площади к облучаемому слою $p$-InAsSbP и флип-чип с вводом излучения через свободную от контактов поверхность подложки $n^{+}$-InAs. Показано влияние особенностей конструкции на температуру активной области и на эффективность преобразователя.
Ключевые слова: термофотовольтаический преобразователь, гетероструктуры InAsSbP/InAs, флип-чип, тепловой режим.
Поступила в редакцию: 09.10.2018
Исправленный вариант: 27.01.2019
Принята в печать: 19.02.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 8, Pages 1164–1167
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219080140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, “Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости”, ЖТФ, 89:8 (2019), 1233–1237; Tech. Phys., 64:8 (2019), 1164–1167
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MatRatRyb19}
\by Б.~А.~Матвеев, В.~И.~Ратушный, А.~Ю.~Рыбальченко
\paper Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 8
\pages 1233--1237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5542}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.08.47897.355-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41130878}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 8
\pages 1164--1167
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219080140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5542
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i8/p1233
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024