Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 5, страницы 835–840
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.05.49187.14-19 (Mi jtf5318) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердотельная электроника

Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

Б. А. Матвеевab, В. И. Ратушныйc, А. Ю. Рыбальченкоc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург
c Волгодонский инженерно-технический институт – филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ
PDF полного текста (1523 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.05.49187.14-19
Аннотация: Исследованы основные электрические характеристики термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs/$n$-InAsSbP с полностью либо частично удаленной подложкой в конструкции флип-чип. Показано влияние сопротивления разных частей структуры на пространственное распределение плотности тока в активной области, и определены условия для получения максимально эффективного сбора фототока/минимального сгущения линий тока.
Ключевые слова: термофотовольтаический преобразователь, гетероструктуры InAsSbP/InAs, вольт-амперные характеристики, распределение плотности тока.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.576.21.0104
Работа, выполненная в ООО “ИоффеЛЕД”, поддержана проектом ФЦП “Разработка фоточувствительных элементов большой размерности для спектральных областей 2.5–3.5; 2.5–4.5; 2.5–5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из InAs и твердых растворов InAsSbP” (код контракта 14.576.21.0104, ID: RFMEFI57618X0104).
Поступила в редакцию: 17.01.2019
Исправленный вариант: 07.05.2019
Принята в печать: 13.11.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 5, Pages 799–804
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220050187
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, “Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, ЖТФ, 90:5 (2020), 835–840; Tech. Phys., 65:5 (2020), 799–804
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MatRatRyb20}
\by Б.~А.~Матвеев, В.~И.~Ратушный, А.~Ю.~Рыбальченко
\paper Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 5
\pages 835--840
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5318}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.05.49187.14-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906019}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 5
\pages 799--804
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220050187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5318
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i5/p835
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024