|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595   ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, D. S. Korolev, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Change of immitance during electroforming and resistive switching in the metal-insulator-metal memristive structures based on SiO$_{x}$”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749 |
16
|
| 3. |
М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1639–1643 ; M. N. Koryazhkina, S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, “Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1614–1618 |
1
|
| 4. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, O. V. Vikhrova, A. I. Morozov, “Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on $n$-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an $n$-GaAs layer”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594 |
1
|
| 5. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 78–84 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 536–538 |
18
|
| 6. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142 |
2
|
| 7. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
2011 |
| 8. |
О. Л. Антипов, С. Ю. Головкин, О. Н. Горшков, Н. Г. Захаров, А. П. Зиновьев, А. П. Касаткин, М. В. Круглова, М. О. Марычев, А. А. Новиков, Н. В. Сахаров, Е. В. Чупрунов, “Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm<sup>3+</sup>:Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub> и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе”, Квантовая электроника, 41:10 (2011), 863–868 [O. L. Antipov, S. Yu. Golovkin, O. N. Gorshkov, N. G. Zakharov, A. P. Zinov'ev, A. P. Kasatkin, M. V. Kruglova, M. O. Marychev, A. A. Novikov, N. V. Sakharov, E. V. Chuprunov, “Structural, optical, and spectroscopic properties and efficient two-micron lasing of new Tm<sup>3+</sup>:Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub> ceramics”, Quantum Electron., 41:10 (2011), 863–868   ] |
20
|
|
1964 |
| 9. |
А. П. Касаткин, “Влияние пересыщения на активность центров роста”, Докл. АН СССР, 154:4 (1964), 827–828 |
|
|
|
2011 |
| 10. |
О. Л. Антипов, С. Ю. Головкин, О. Н. Горшков, Н. Г. Захаров, А. П. Зиновьев, А. П. Касаткин, М. В. Круглова, М. О. Марычев, А. А. Новиков, Н. В. Сахаров, Е. В. Чупрунов, “Поправка к статье: Структурные, оптические и спектроскопические свойства новой керамики Tm<sup>3+</sup>:Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub> и эффективная двухмикронная генерация лазера на ее основе”, Квантовая электроника, 41:12 (2011), 1130 |
|
Обратная связь: