|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
| 1. |
Е. И. Давыдова, В. В. Дмитриев, Ю. Ю. Козлов, И. А. Кукушкин, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Повышение порога оптического разрушения фронтального зеркала полупроводникового лазера при пассивации ZnSe”, Квантовая электроника, 41:5 (2011), 423–426   [E. I. Davydova, V. V. Dmitriev, Yu. Yu. Kozlov, I. A. Kukushkin, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Increase in the optical damage threshold of a ZnSe-passivated front mirror of a laser diode”, Quantum Electron., 41:5 (2011), 423–426   ] |
1
|
|
2010 |
| 2. |
А. А. Лобинцов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820 — 860 нм”, Квантовая электроника, 40:4 (2010), 305–309 [A. A. Lobintsov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Highly efficient semiconductor optical amplifier for the 820—860-nm spectral range”, Quantum Electron., 40:4 (2010), 305–309 ] |
8
|
|
2009 |
| 3. |
Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20 ] |
3
|
|
2005 |
| 4. |
А. В. Зубанов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Влияние энергии при ионно-химическом травлении структур GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As на фотолюминесценцию и деградацию приборов”, Квантовая электроника, 35:5 (2005), 445–448 [A. V. Zubanov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Effect of the energy of ion-chemical etching of GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As structures on photoluminescence and degradation of devices”, Quantum Electron., 35:5 (2005), 445–448 ] |
1
|
|
2004 |
| 5. |
Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 805–808 [E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808 ] |
1
|
|
2001 |
| 6. |
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660 ] |
5
|
|
1999 |
| 7. |
В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 1–2 [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284 ] |
1
|
|
1996 |
| 8. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. V. Mel'nikov, M. A. Sumarokov, V. A. Shishkin, “Low-threshold InGaP/InGaAsP lasers with the emission wavelength 1.02 μm”, Quantum Electron., 26:9 (1996), 765–766 ] |
|
1994 |
| 9. |
О. В. Журавлева, Н. Н. Киселева, В. Д. Курносов, О. Ю. Малашина, А. А. Чельный, В. А. Шишкин, “Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры”, Квантовая электроника, 21:3 (1994), 205–208 [O. V. Zhuravleva, N. N. Kiseleva, V. D. Kurnosov, O. Yu. Malashina, A. A. Chel'nyi, V. A. Shishkin, “Single-frequency GaAIAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 24:3 (1994), 187–190 ] |
1
|
|
1992 |
| 10. |
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960 ] |
4
|
|
Обратная связь: