|
Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 3, страницы 205–208
(Mi qe50)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры
О. В. Журавлева, Н. Н. Киселева, В. Д. Курносов, О. Ю. Малашина, А. А. Чельный, В. А. Шишкин Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация:
Разработаны лазеры с длиной волны излучения 780–850 нм, генерирующие мощность до 20 мВт в одночастотном режиме. В диапазоне мощностей до 5 мВт не наблюдается ''переключения'' мод и экспериментальные характеристики лазера хорошо совпадают с теоретическими. Лазеры имеют минимальную ширину линии генерации 35 МГц и отношение мощностей излучения генерирующей и близлежащей мод, превышающие 20 дБ.
Поступила в редакцию: 27.04.1993
Образец цитирования:
О. В. Журавлева, Н. Н. Киселева, В. Д. Курносов, О. Ю. Малашина, А. А. Чельный, В. А. Шишкин, “Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры”, Квантовая электроника, 21:3 (1994), 205–208 [Quantum Electron., 24:3 (1994), 187–190]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe50 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i3/p205
|
|