|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
A. N. Aleshin, P. P. Shirinkin, A. K. Khripunov, N. N. Saprykina, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, P. A. Aleshin, V. N. Petrov, “Photoluminescence and photoconductivity of lead halide perovskite films modified with mixed cellulose esters”, ЖТФ, 91:6 (2021), 987   ; Tech. Phys., 66:7 (2021), 827–834 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1547–1556  ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Formation of $ncl$-Si in the amorphous matrix $a$-SiO$_{x}$ : H located near the anode and on the cathode, using a time-modulated DC plasma with the (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$) gas phase ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1514–1523 |
2
|
| 3. |
S. N. Abolmasov, A. S. Abramov, A. V. Semenov, I. S. Shahray, E. I. Terukov, E. V. Malchukova, I. N. Trapeznikova, “Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1140 ; Semiconductors, 53:8 (2019), 1114–1119 |
3
|
| 4. |
В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27 ; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 |
2
|
|
2018 |
| 5. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1137–1144 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Effect of the temporal characteristics of modulated DC plasma with the (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$) gas phase on ncl-Si growth in an$a$-SiO$_{x}$:H matrix (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 mol %)”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1255–1263 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2457–2461 ; A. N. Aleshin, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, V. N. Petrov, “Field-effect transistors with high mobility and small hysteresis of transfer characteristics based on CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ films”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2486–2490 |
16
|
| 7. |
С. Е. Никитин, А. В. Нащекин, Е. Е. Терукова, И. Н. Трапезникова, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, “Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 105–110 ; S. E. Nikitin, A. V. Nashchekin, E. E. Terukova, I. N. Trapeznikova, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, “Surface texture of single-crystal silicon oxidized under a thin V$_{2}$O$_{5}$ layer”, Semiconductors, 51:1 (2017), 104–109 |
4
|
|
2016 |
| 8. |
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1818–1825 ; A. N. Aleshin, I. P. Shcherbakov, I. N. Trapeznikova, V. N. Petrov, “Field-effect transistor structures on the basis of poly(3-hexylthiophene), fullerene derivatives [60]PCBM, [70]PCBM, and nickel nanoparticles”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1882–1890 |
5
|
| 9. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, O. B. Gusev, I. N. Trapeznikova, “On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), with time-modulated dc magnetron plasma”, Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540 |
3
|
|
2011 |
| 10. |
О. Б. Гусев, Ю. С. Вайнштейн, Ю. К. Ундалов, О. С. Ельцина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, О. М. Сресели, “Люминесценция аморфных нанокластеров кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405 ; O. B. Gusev, J. S. Vainshtein, Yu. K. Undalov, O. S. Yeltsina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, O. M. Sreseli, “Luminescence of amorphous silicon nanoclusters”, JETP Letters, 94:5 (2011), 370–373  |
7
|
|
1992 |
| 11. |
О. И. Коньков, И. Н. Трапезникова, М. П. Власенко, Е. И. Теруков, Г. Н. Виолина, “Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328 |
|
Обратная связь: