|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 538–548
(Mi phts6498)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
Ю. К. Ундаловa, Е. И. Теруковab, О. Б. Гусевa, И. Н. Трапезниковаa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Проведены исследования по активации процесса формирования аморфных нанокластеров кремния в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния путем применения модулированной во времени плазмы разряда на постоянном токе (DC). Модуляция плазмы осуществлялась многократным включением и выключением катушки магнита DC-магнетрона. Показано, что возникающий при этом эффект самоиндукции приводит в итоге к увеличению вероятности столкновения электронов разряда с газообразными компонентами. Анализ инфракрасных спектров пленок показал, что модуляция плазмы увеличивает содержание преимущественно мостикового кислорода в матрице $a$-SiO$_{x}$:H за счет усиления процесса ионизации кислорода. Предполагается, что это также увеличивает концентрацию нанокластеров кремния (ncl-Si) с окисленной внешней поверхностью в плазме, тем самым усиливая поток ncl-Si в сторону электродов DC-магнетрона. Спектры фотолюминесценции содержат две широкие перекрывающиеся полосы, характерные для аморфных ncl-Si, с максимумами, располагающимися в диапазоне 600–1000 нм.
Поступила в редакцию: 14.05.2015 Принята в печать: 14.05.2015
Образец цитирования:
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548; Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6498 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p538
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 11 |
|