Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 538–548 (Mi phts6498)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе

Ю. К. Ундаловa, Е. И. Теруковab, О. Б. Гусевa, И. Н. Трапезниковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Проведены исследования по активации процесса формирования аморфных нанокластеров кремния в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния путем применения модулированной во времени плазмы разряда на постоянном токе (DC). Модуляция плазмы осуществлялась многократным включением и выключением катушки магнита DC-магнетрона. Показано, что возникающий при этом эффект самоиндукции приводит в итоге к увеличению вероятности столкновения электронов разряда с газообразными компонентами. Анализ инфракрасных спектров пленок показал, что модуляция плазмы увеличивает содержание преимущественно мостикового кислорода в матрице $a$-SiO$_{x}$:H за счет усиления процесса ионизации кислорода. Предполагается, что это также увеличивает концентрацию нанокластеров кремния (ncl-Si) с окисленной внешней поверхностью в плазме, тем самым усиливая поток ncl-Si в сторону электродов DC-магнетрона. Спектры фотолюминесценции содержат две широкие перекрывающиеся полосы, характерные для аморфных ncl-Si, с максимумами, располагающимися в диапазоне 600–1000 нм.
Поступила в редакцию: 14.05.2015
Принята в печать: 14.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 4, Pages 530–540
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548; Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UndTerGus16}
\by Ю.~К.~Ундалов, Е.~И.~Теруков, О.~Б.~Гусев, И.~Н.~Трапезникова
\paper Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 538--548
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6498}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668279}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 530--540
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616040230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6498
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p538
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024