Processing math: 100%
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 12, страницы 2457–2461
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45248.108
(Mi ftt9375)
 

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Полимеры

Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH3NH3PbBr3

А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Получены полевые транзисторные (ПТ) структуры на основе растворимых металлорганических перовскитов – CH3NH3PbBr3 и исследованы их электрические свойства. Показано, что ПТ на основе пленок CH3NH3PbBr3 демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ПТ с режимом насыщения. Обнаружено, что передаточные характеристики ПТ на основе CH3NH3PbBr3 обладают незначительным гистерезисом и слабо зависят от напряжения на стоке–истоке. Значения подвижности носителей заряда (дырок), рассчитанные из ВАХ ПТ на основе CH3NH3PbBr3 при 300 K в режимах насыщения и слабых полей, составили 5 cm2/Vs и 2 cm2/Vs соответственно, а подвижность электронов 3 cm2/Vs, что превышает значение подвижности 1 cm2/Vs, полученное ранее для ПТ на основе CH3NH3PbI3.
Поступила в редакцию: 03.04.2017
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 12, Pages 2486–2490
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417120034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH3NH3PbBr3”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2457–2461; Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2486–2490
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleShcTra17}
\by А.~Н.~Алешин, И.~П.~Щербаков, И.~Н.~Трапезникова, В.~Н.~Петров
\paper Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2457--2461
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9375}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45248.108}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30685657}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2486--2490
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417120034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9375
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i12/p2457
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    1. Doaa Shamalia, Nir Tessler, “Device simulations of perovskite transistors containing mobile ions and their relevance to experimental data”, Journal of Applied Physics, 135:6 (2024)  crossref
    2. Fan Zhang, Mingchao Shao, Chengyu Wang, Wei Wen, Wenkang Shi, Mingcong Qin, Haojie Huang, Xiaofang Wei, Yunlong Guo, Yunqi Liu, “Photoinduced Nonvolatile Memory Transistor Based on Lead‐Free Perovskite Incorporating Fused π‐Conjugated Organic Ligands”, Advanced Materials, 36:2 (2024)  crossref
    3. Vivian Nketia-Yawson, Benjamin Nketia-Yawson, Jea Woong Jo, “Functional impact of gate dielectrics in emerging metal halide perovskite field-effect transistors”, Materials Today Physics, 45 (2024), 101475  crossref
    4. Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, А. Н. Алешин, И. А. Врублевский, Н. В. Лушпа, А. К. Тучковский, “Исследование и оптимизация процессов кристаллизации растворов гибридных галогенидных перовскитов состава CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PBI<sub>3</sub>”, Физика и химия стекла, 49:6 (2023), 662  crossref
    5. E. N. Muratova, V. A. Moshnikov, A. N. Aleshin, I. A. Vrublevskii, N. V. Lushpa, A. K. Tuchkovskii, “Research and Optimization of Crystallization Processes of Solutions of Hybrid Halide Perovskites of the CH3NH3PbI3 Composition”, Glass Phys Chem, 49:6 (2023), 672  crossref
    6. Grigorii V. Nenashev, Roman S. Kryukov, Maria S. Istomina, Petr A. Aleshin, Igor P. Shcherbakov, Vasily N. Petrov, Vyacheslav A. Moshnikov, Andrey N. Aleshin, “Carbon quantum dots: organic–inorganic perovskite composites for optoelectronic applications”, J Mater Sci: Mater Electron, 34:31 (2023)  crossref
    7. Ye Su, Ning Li, Li-Bin Shi, Yan-Zhou Wang, Ping Qian, “Investigation of carrier transport behavior for cubic CH3NH3SnX3 and CH3NH3PbX3 (X=Br and I) using Boltzmann transport equation”, Computational Materials Science, 213 (2022), 111609  crossref
    8. A. M. Ivanov, G. V. Nenashev, A. N. Aleshin, “Low-frequency noise and impedance spectroscopy of device structures based on perovskite-graphene oxide composite films”, J Mater Sci: Mater Electron, 33:27 (2022), 21666  crossref
    9. Huihui Zhu, Ao Liu, Yong-Young Noh, “Recent progress on metal halide perovskite field-effect transistors”, Journal of Information Display, 22:4 (2021), 257  crossref
    10. Fabian Paulus, Colin Tyznik, Oana D. Jurchescu, Yana Vaynzof, “Switched‐On: Progress, Challenges, and Opportunities in Metal Halide Perovskite Transistors”, Adv Funct Materials, 31:29 (2021)  crossref
    11. Santanu Jana, Emanuel Carlos, Shrabani Panigrahi, Rodrigo Martins, Elvira Fortunato, “Toward Stable Solution-Processed High-Mobility p-Type Thin Film Transistors Based on Halide Perovskites”, ACS Nano, 14:11 (2020), 14790  crossref
    12. А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, Л. Б. Матюшкин, “Терагерцовые колебательные моды в пленках перовскитов CH3NH3PbI3 и CsPbI3”, Письма в ЖЭТФ, 109:1 (2019), 30–35  mathnet  crossref  isi  scopus; A. V. Andrianov, A. N. Aleshin, L. B. Matyushkin, “Terahertz vibrational modes in CH3NH3PbI3 and CsPbI3 perovskite films”, JETP Letters, 109:1 (2019), 28–32  mathnet  crossref
    13. Tingjun Wu, Wojciech Pisula, Mohd Yusoff Abd Rashid, Peng Gao, “Application of Perovskite‐Structured Materials in Field‐Effect Transistors”, Adv Elect Materials, 5:12 (2019)  crossref
    14. Toshinori Matsushima, Shinobu Terakawa, Matthew R. Leyden, Takashi Fujihara, Chuanjiang Qin, Chihaya Adachi, “Toward air-stable field-effect transistors with a tin iodide-based hybrid perovskite semiconductor”, Journal of Applied Physics, 125:23 (2019)  crossref
    15. А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, О. В. Борщев, С. А. Пономаренко, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1012–1017  mathnet  crossref; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, O. V. Borshchev, S. A. Ponomarenko, B. Handke, “Unoccupied electron states and the formation of interface between films of dimethyl-substituted thiophene–phenylene coolygomers and oxidized silicon surface”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1029–1034  mathnet  crossref
    16. Andrey N. Aleshin, Igor P. Shcherbakov, Ekaterina V. Gushchina, Leo B. Matyushkin, Vyacheslav A. Moshnikov, “Solution-processed field-effect transistors based on polyfluorene –cesium lead halide nanocrystals composite films with small hysteresis of output and transfer characteristics”, Organic Electronics, 50 (2017), 213  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025