Аннотация:
Получены полевые транзисторные (ПТ) структуры на основе растворимых металлорганических перовскитов – CH3NH3PbBr3 и исследованы их электрические свойства. Показано, что ПТ на основе пленок CH3NH3PbBr3 демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ПТ с режимом насыщения. Обнаружено, что передаточные характеристики ПТ на основе CH3NH3PbBr3 обладают незначительным гистерезисом и слабо зависят от напряжения на стоке–истоке. Значения подвижности носителей заряда (дырок), рассчитанные из ВАХ ПТ на основе CH3NH3PbBr3 при 300 K в режимах насыщения и слабых полей, составили ∼5 cm2/Vs и ∼2 cm2/Vs соответственно, а подвижность электронов ∼3 cm2/Vs, что превышает значение подвижности ∼1 cm2/Vs, полученное ранее для ПТ на основе CH3NH3PbI3.
Образец цитирования:
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, И. Н. Трапезникова, В. Н. Петров, “Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH3NH3PbBr3”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2457–2461; Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2486–2490
\RBibitem{AleShcTra17}
\by А.~Н.~Алешин, И.~П.~Щербаков, И.~Н.~Трапезникова, В.~Н.~Петров
\paper Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2457--2461
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9375}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45248.108}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30685657}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 12
\pages 2486--2490
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417120034}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9375
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i12/p2457
Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
Doaa Shamalia, Nir Tessler, “Device simulations of perovskite transistors containing mobile ions and their relevance to experimental data”, Journal of Applied Physics, 135:6 (2024)
Vivian Nketia-Yawson, Benjamin Nketia-Yawson, Jea Woong Jo, “Functional impact of gate dielectrics in emerging metal halide perovskite field-effect transistors”, Materials Today Physics, 45 (2024), 101475
Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, А. Н. Алешин, И. А. Врублевский, Н. В. Лушпа, А. К. Тучковский, “Исследование и оптимизация процессов кристаллизации растворов гибридных галогенидных перовскитов состава CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PBI<sub>3</sub>”, Физика и химия стекла, 49:6 (2023), 662
E. N. Muratova, V. A. Moshnikov, A. N. Aleshin, I. A. Vrublevskii, N. V. Lushpa, A. K. Tuchkovskii, “Research and Optimization of Crystallization Processes of Solutions of Hybrid Halide Perovskites of the CH3NH3PbI3 Composition”, Glass Phys Chem, 49:6 (2023), 672
Grigorii V. Nenashev, Roman S. Kryukov, Maria S. Istomina, Petr A. Aleshin, Igor P. Shcherbakov, Vasily N. Petrov, Vyacheslav A. Moshnikov, Andrey N. Aleshin, “Carbon quantum dots: organic–inorganic perovskite composites for optoelectronic applications”, J Mater Sci: Mater Electron, 34:31 (2023)
Ye Su, Ning Li, Li-Bin Shi, Yan-Zhou Wang, Ping Qian, “Investigation of carrier transport behavior for cubic CH3NH3SnX3 and CH3NH3PbX3 (X=Br and I) using Boltzmann transport equation”, Computational Materials Science, 213 (2022), 111609
A. M. Ivanov, G. V. Nenashev, A. N. Aleshin, “Low-frequency noise and impedance spectroscopy of device structures based on perovskite-graphene oxide composite films”, J Mater Sci: Mater Electron, 33:27 (2022), 21666
Huihui Zhu, Ao Liu, Yong-Young Noh, “Recent progress on metal halide perovskite field-effect transistors”, Journal of Information Display, 22:4 (2021), 257
Fabian Paulus, Colin Tyznik, Oana D. Jurchescu, Yana Vaynzof, “Switched‐On: Progress, Challenges, and Opportunities in Metal Halide Perovskite Transistors”, Adv Funct Materials, 31:29 (2021)
Santanu Jana, Emanuel Carlos, Shrabani Panigrahi, Rodrigo Martins, Elvira Fortunato, “Toward Stable Solution-Processed High-Mobility p-Type Thin Film Transistors Based on Halide Perovskites”, ACS Nano, 14:11 (2020), 14790
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, Л. Б. Матюшкин, “Терагерцовые колебательные моды в пленках перовскитов CH3NH3PbI3 и CsPbI3”, Письма в ЖЭТФ, 109:1 (2019), 30–35; A. V. Andrianov, A. N. Aleshin, L. B. Matyushkin, “Terahertz vibrational modes in CH3NH3PbI3 and CsPbI3 perovskite films”, JETP Letters, 109:1 (2019), 28–32
Tingjun Wu, Wojciech Pisula, Mohd Yusoff Abd Rashid, Peng Gao, “Application of Perovskite‐Structured Materials in Field‐Effect Transistors”, Adv Elect Materials, 5:12 (2019)
Toshinori Matsushima, Shinobu Terakawa, Matthew R. Leyden, Takashi Fujihara, Chuanjiang Qin, Chihaya Adachi, “Toward air-stable field-effect transistors with a tin iodide-based hybrid perovskite semiconductor”, Journal of Applied Physics, 125:23 (2019)
А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, Г. Д. Зашихин, С. А. Пшеничнюк, О. В. Борщев, С. А. Пономаренко, B. Handke, “Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1012–1017; A. S. Komolov, E. F. Lazneva, N. B. Gerasimova, Yu. A. Panina, G. D. Zashikhin, S. A. Pshenichnyuk, O. V. Borshchev, S. A. Ponomarenko, B. Handke, “Unoccupied electron states and the formation of interface between films of dimethyl-substituted thiophene–phenylene coolygomers and oxidized silicon surface”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1029–1034
Andrey N. Aleshin, Igor P. Shcherbakov, Ekaterina V. Gushchina, Leo B. Matyushkin, Vyacheslav A. Moshnikov, “Solution-processed field-effect transistors based on polyfluorene –cesium lead halide nanocrystals composite films with small hysteresis of output and transfer characteristics”, Organic Electronics, 50 (2017), 213