Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$

Получены полевые транзисторные (ПТ) структуры на основе растворимых металлорганических перовскитов – CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ и исследованы их электрические свойства. Показано, что ПТ на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ПТ с режимом насыщения. Обнаружено, что передаточные характеристики ПТ на основе CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ обладают незначительным гистерезисом и слабо зависят от напряжения на стоке–истоке. Значения подвижности носителей заряда (дырок), рассчитанные из ВАХ ПТ на основе CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ при 300 K в режимах насыщения и слабых полей, составили $\sim$5 cm$^{2}$/Vs и $\sim$2 cm$^{2}$/Vs соответственно, а подвижность электронов $\sim$3 cm$^{2}$/Vs, что превышает значение подвижности $\sim$1 cm$^{2}$/Vs, полученное ранее для ПТ на основе CH$_{3}$NH$_{3}$PbI$_{3}$.