Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1137–1144
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46453.8838
(Mi phts5707)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)

Ю. К. Ундаловa, Е. И. Теруковab, И. Н. Трапезниковаa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Проведено изучение влияния различных режимов работы модулированной по времени DC-плазмы на формирование аморфной матрицы a-SiO$_{x}$:H и нанокластеров кремния с помощью ИК-спектров и спектров фотолюминесценции. Модуляция DC-плазмы заключалась в многократном ($n$ = 180) выключении и включении катушки магнита магнетрона с различным сочетанием времени $t_{\operatorname{off}}$=1, 2, 5, 10, 15 с и t$_{\operatorname{on}}$ =5, 10, 15 с соответственно, при неизменной концентрации кислорода (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%) в (SiH$_{4}$ + Ar + О$_{2}$)-газовой смеси. Подтверждено положительное влияние эффекта самоиндукции на формирование как аморфной матрицы, так и нанокластеров кремния. Наибольшие значения $x$ в $a$-SiO$_{x}$:H и интенсивности фотолюминесценции наблюдались при сочетании длительного пребывания плазмы в рабочем состоянии (t$_{\operatorname{on}}$ = 10–15 с) и наибольшего значения напряженности магнитного поля. Замечено также влияние величины $t_{\operatorname{off}}$ на процессы формирования как матрицы $a$-SiO$_{x}$:H, так и нанакластеров кремния.
Поступила в редакцию: 07.02.2018
Принята в печать: 26.03.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1255–1263
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1137–1144; Semiconductors, 52:10 (2018), 1255–1263
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UndTerTra18}
\by Ю.~К.~Ундалов, Е.~И.~Теруков, И.~Н.~Трапезникова
\paper Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$--Ar--O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl--Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол\%)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1137--1144
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5707}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46453.8838}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903572}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1255--1263
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5707
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1137
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024