|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$
С. Е. Никитинa, А. В. Нащекинa, Е. Е. Теруковаab, И. Н. Трапезниковаa, А. В. Бобыльa, В. Н. Вербицкийa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V$_{2}$O$_{5}$. Интенсивное окисление кремния на границе Si–V$_{2}$O$_{5}$ начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V$_{2}$O$_{5}$–Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30–50 нм с включениями SiO$_{2}$ в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния ($D\ge$ 2 $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^{2}$ $\cdot$ с$^{-1}$). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V$_{2}$O$_{5}$ через слой SiO$_{2}$ к кремнию и возникновении преципитатов SiO$_{x}$ в кремнии. После удаления слоев V$_{2}$O$_{5}$ и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300–550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей.
Поступила в редакцию: 25.04.2016 Принята в печать: 04.05.2016
Образец цитирования:
С. Е. Никитин, А. В. Нащекин, Е. Е. Терукова, И. Н. Трапезникова, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, “Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 105–110; Semiconductors, 51:1 (2017), 104–109
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6266 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p105
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 72 |
|